"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение скорости поверхностной рекомбинации в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда
Бородовский П.А.1, Булдыгин А.Ф.1, Варавин В.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Измерены зависимости планарного магнитосопротивления от магнитного поля для эпитаксиальных слоев n-CdxHg1-xTe (x=0.211, 0.22) при температурах 300 и 77 K. При 77 K измерения проведены в электрическом поле ниже и выше пороговых полей для лавинной ударной ионизации. По результатам измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда определены скорости поверхностной рекомбинации.
  1. G. Sarusi, A. Zemel, D. Eger, S. Ron, Y. Shapira. J. Appl. Phys., 72, 2312 (1992)
  2. Г.Е. Пикус. ЖТФ, 26, 22 (1956)
  3. D.L. Lile. J. Appl. Phys., 41, 3480 (1970)
  4. П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, В.Г. Ремесник. ФТП, 28, 2107 (1994)
  5. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. Thin Sol. Films, 267, 121 (1995)
  6. П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин. ПТЭ, N 6, 157 (1995)
  7. G. Nimtz, G. Bauer, R. Dornhays, K.H. Muller. Phys. Rev. B, 10, 3302 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.