Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO₂-структуры при отжиге в вакууме

Гадияк Г.В.¹, Stathis J.²

¹Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия Institute of Computational Technologies, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Institute of Computational Technologies, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York,, USA

Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предлагается теоретическая модель для описания эволюции P_b-центров на границе раздела Si/SiO₂ при отжиге в вакууме. Модель принимает во внимание реакции, происходящие с центрами на границе раздела, диффузию атомарного и молекулярного водорода. Выполнен расчет констант реакций в диффузионном приближении. Результаты расчетов находятся в согласии с экспериментом в диапазоне температур (480^o-800^oC) и толщин окислов (200-1024 Angstrem) для граней кремния (111) и (100).

D.A. Buchanan, D.J. DiMaria, A.D. Marwick, L. Dory. Appl. Phys., 76, 3595 (1994)
Г.В. Гадияк. ФТП, 31, 257 (1997)
K.L. Brower, S.M. Meyers. Appl. Phys. Lett., 57, 162 (1990)
D.L. Griscom. J. Electron. Mater., 21, 763 (1992)
J.H. Stathis, E. Cartier. Phys. Rev. Lett., 72, 2745 (1994)
E. Cartier, J.H. Stathis. Microelectronic Engineering, 28, 3 (1995)
J.H. Stathis. J. Appl. Phys., 77, 6205 (1995) [Erratum: J. Appl. Phys., 78, 5215 (1995)]
K.L. Brower. Appl. Phys. Lett., 43, 1111 (1983)
P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys., 55, 3495 (1984)
E.H. Poindexter, P.J. Caplan, B.E. Deal, R.R. Razouk. J. Appl. Phys., 52, 879 (1981)
G.V. Gadiyak, Yu.N., Morokov, A.A. Karpushin, M. Tomasek. Chechosl. J. Phys. B, 35, 54 (1985)
Г.В. Гадияк, А.А. Карпушин, И.В. Короленко, Ю.Н. Мороков, И.Ю. Семенова, А.Н. Сорокин, М. Томашек. Поверхность. Физика, химия, механика, 9, 72 (1986)
K.L. Brower. Phys. Rev. B, 42, 3444 (1990)
R. Khatri, P. Asoka-Kumar, B. Nielsen, L.O. Ruelling, K.G. Lynn. Appl. Phys. Lett., 65, 330 (1994)
D. Fink, J. Krauser, D. Nagengast, T. Almeida Murphy, J. Exmeier, J. Palmetshofer, D. Brauning, A. Weidinger. Appl. Phys. A, 61, 381 (1995)
Г.В. Гадияк, Г.А. Качурин, И.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТП, 32, 1111 (1992)
E. Cartier, J.H. Stathis. Appl. Phys. Lett., 69, 103 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель