"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Мокеров В.Г.1, Федоров Ю.В.1, Гук А.В.1, Галиев Г.Б.1, Страхов В.А.1, Яременко Н.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции нелегированных и легированных кремнием слоев GaAs (100) при T=77 K. Выявлено, что наряду с B-полосой, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, в спектрах легированных слоев наблюдается так называемая Si-полоса, расположенная вблизи hnu~= 1.4 эВ, а в многослойных delta-легированных структурах в области hnu~= 1.47/ 1.48 эВ дополнительно появляется полоса, обозначенная здесь как delta-полоса. Изучены зависимости энергетического положения, интенсивности и формы полос фотолюминесценции от дозы легирования NSi, мощности лазерного возбуждения и температуры. Показано, что Si-полоса обусловлена оптическими переходами между зоной проводимости и глубоким акцепторным уровнем (~ 100 мэВ), связанным с атомами Si в узлах As. Установлено, что зависимости формы и интенсивности delta-полосы от температуры и мощности возбуждения фотолюминесценции оказались идентичными соответствующим зависимостям для B-полосы. Согласно предложенной интерпретации, проявления delta-полосы в спектрах фотолюминесценции связываются с эффектами размерного квантования в delta-легированных структурах.
  1. M. Kondo, C. Akayama, N. Okada, H. Sekiguchi, K. Domen, T.Tanahashi. J. Appl. Phys., 76, 914 (1994)
  2. S.S. Bose, B. Lee, M.H. Stilman. J. Appl. Phys., 63, 743 (1988)
  3. W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. J. Appl. Phys. Lett., 47, 826 (1985)
  4. A. Chin, P. Martin, P. Ho, J. Ballingall, Y. Yu, J. Mazurowski. Appl. Phys. Lett., 59, 1899 (1991)
  5. Y. Okano, H. Seto, H. Katakama, S. Sichine, I. Fujimoto, J. Suzuki. Jpn. J. Appl. Phys., 28, 151 (1989)
  6. S. Subbana, H. Kroemer, J. Merz. J. Appl. Phys., 59, 488 (1986)
  7. F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci, Technol., 7, 1504 (1992)
  8. L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66, 2846 (1995)
  9. I.C.M. Henning, Y.A.R.R. Kessener, P.M. Koenraad, M.R. Leys, W. van de Vleuten, I.H. Wolter, A.M. Frens. Semicond. Sci. Technol., 6, 1079 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.