Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О зависимости диэлектрических и оптических свойств широкозонных полупроводников от давления

Давыдов С.Ю.¹, Тихонов С.К.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 ноября 1996 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках модели связывающих орбиталей Харрисона получены выражения для зависимостей от давления статической varepsilon₀ и высокочастотной varepsilon_{бесконечность} диэлектрических проницаемостей, а также продольной omega_LO(0) и поперечной omega_TO(0) оптических частот.

Silicon Carbide and Related Materials. Proc. of the Fifth Conference, ed. by M.G. Spencer et al. [Inst. Phys. Conf. Ser., 137 (Bristol and Philadelphia, 1993)]
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37, 3044 (1995)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 834 (1996)
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости (М., Наука, 1987)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 968 (1996)
W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 24, N 10, 5835 (1981)
W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, N 6, 3592 (1983)
K. Karch, A. Zywietz, F. Bechstedt, P. Pavone, D. Strauch. In: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials--1995 (ICSCRM-95). Technical Digest (Kyoto, Japan, 1995) p. 87
J.C. Phillips. Rev. Mod. Phys., 42, N 3, 317 (1970)
Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)
D. Olego, M. Cardona, P. Vogl. Phys. Rev. B, 25, 3978 (1982)
W.J. Choyke, J.L. Jarnell, G. Dolling, R.A. Cowley. Phys. Rev., 158, N 3, 805 (1967)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, вып. 7, 1300 (1996)
H. Okumura, K. Ohta, K. Ando, W.W. Ruhle, T. Nagamoto, S. Yoshida. In: International Conference on Silicon and Related Materials--1995 (ICSCRM-95). Technical Digest (Kyoto, Japan, 1995) p. 419

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель