Вышедшие номера
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSb/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 мкм
Попов А.А.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Показаны особенности спектров непрерывной генерации многомодовых диодных лазеров, созданных на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP для спектральной области 3.3 мкм. Сообщается о наблюдении при криогенных температурах как длинноволнового, так и коротковолнового переключения мод. Показано, что подавление ближайших к основной боковых продольных мод приводит к большим модовым скачкам по энергии в процессе их токовой перестройки. Выявленные особенности объяснены неоднородностью спектра усиления вследствие спектрального выгорания дыр в узкозонных полупроводниках. Сделаны оценки времен внутризонной релаксации носителей заряда в активной области.