Вышедшие номера
Определение длины волны отсечки фоточувствительности инфракрасных фотоприемников с использованием двух низкотемпературных излучателей
Васильев В.В.1, Машуков Ю.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Продолжено рассмотрение метода определения длины волны отсечки lambdac инфракрасных фотоприемников, основанного на облучении образца двумя черными телами с разичными температурами. Чем выше lambdac, тем более низкие температуры излучателей целесообразно применять. Приводятся параметры системы, использующей два черных тела, которые располагаются внутри азотного криостата и имеют температуры 260 и 320 K соответственно. Показано, что ошибки в определении нижней или верхней из указанных температур на 1 K приводят к ошибке lambdac примерно на 0.3 и 0.2 мкм соответственно, если lambdac=10 мкм. Измерения на фотодиодах, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев Cd0.24Hg0.76Te (lambdac=8.1 мкм), показали, что различие в величинах lambdac, полученных данным методом и из спектральных измерений, составляет не более нескольких десятых долей мкм. Предлагается использовать данный метод как стандартный.