"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффекты ограничения заряда эмиссии в GaAs-фотокатодах при высоких интенсивностях оптического возбуждения
Резников Б.И.1, Субашиев А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены стационарные характеристики фотокатода и характерные времена переходных процессов при мгновенном включении и выключении освещения в условиях высокой интенсивности возбуждения, с учетом зависимости параметров приповерхностного слоя от фотонапряжения. Для стационарного случая получены аналитические зависимости квантового выхода от фотонапряжения и интенсивности излучения. Найдено критическое значение интенсивности освещения, соответствующей переходу в режим ограничения заряда эмиссии. Показано, что время выхода на стационарный режим зависит от величины установившегося фотонапряжения на барьере и определяется в основном временем установления равновесия между потоками электронов и дырок на поверхностные центры рекомбинации. При больших интенсивностях освещения время установления обратно пропорционально интенсивности освещения, что приводит при интенсивностях, соответствующих полному запиранию катода, к ограничению заряда эмиссии. Время релаксации фотонапряжения может достигать микросекунд. Сравнение результатов расчета зависимости квантового выхода от фотонапряжения с экспериментом позволяет восстановить зависимость туннельной прозрачности активационного слоя от фотонапряжения.
  1. D.T. Pierce. In: Experimental Methods in Atomic, Molecular and Optical Physics: Charged Particles, v. 29A, ser. Experimental Methods in the Physical Sciences, ed. by F.B. Dunning and R.G. Hulet (Academic Press, 1995) p. 1
  2. K. Abe et al. Phys. Rev. Lett., 75, 4173 (1995)
  3. H.C. Siegmann. J. Phys.: Condens. Matter., 4, 8395 (1992)
  4. J.E. Scneider, A.W. Baum, G.I. Winograd et al. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 3782 (1996)
  5. A.S. Jaroshevich, M.A. Kirillov, D.A. Orlow, A.G. Paulish, H.E. Sheibler, A.S. Terechov. In: Proc. 7th Int. Workshop on Polarized Gas Targets and Polarized Beams (Urbana, 1997), p. 232
  6. H. Tang, R.K. Alley, H. Aoyagy, J.E. Clendenin et al. SLAC-PUB-6515 (1994)
  7. Y.B. Bolkovityaninov, A.M. Gilinsky, C.W. de Jager et al. In: Proc. 12th Int. Symp. on High-Energy Spin Physics ed. by C.D.W. de Jager et al. (Word Scientific, Singapore, 1997) p. 700
  8. A. Herrera-Gomez, G. Vergara, W.E. Spicer. J. Appl. Phys., 79, 7318 (1996)
  9. Э.Л. Нолле. ФТТ, 31 (11), 225 (1989)
  10. L.G. Gerchikov, B.D. Oskotskii, A.V. Subashiev, In: Proc. 12th Int. Symp. High-Energy Spin Physics, ed. by C.W. de Jager, T.J. Ketel, P.J. Mulders et al. (World Scientific, Singapore, 1997) p. 746
  11. W.E. Spicer. Phys. Rev., 112, 114 (1958)
  12. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
  13. C. Herman, H.-J. Drouhin, G. Lampel, Y. Lassailly, D. Paget, J. Peretti, R. Houdre, F. Ciccacci, H. Riehert. In: Spectroscopy of Nonequilibrium Electrons and Phonons, ed. by C.V. Shank and B.P. Zakharchenya (Elseiver Science, B.V., 1992) p. 135
  14. A.S. Terekhov, D.A. Orlov. Proc. SPIE, 2550, 157 (1995)
  15. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  16. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  17. C.Y. Chang, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 13, 727 (1970)
  18. B.D. Oskotskij, A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 77 (1997)
  19. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.