Вышедшие номера
Эффекты ограничения заряда эмиссии в GaAs-фотокатодах при высоких интенсивностях оптического возбуждения
Резников Б.И.1, Субашиев А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены стационарные характеристики фотокатода и характерные времена переходных процессов при мгновенном включении и выключении освещения в условиях высокой интенсивности возбуждения, с учетом зависимости параметров приповерхностного слоя от фотонапряжения. Для стационарного случая получены аналитические зависимости квантового выхода от фотонапряжения и интенсивности излучения. Найдено критическое значение интенсивности освещения, соответствующей переходу в режим ограничения заряда эмиссии. Показано, что время выхода на стационарный режим зависит от величины установившегося фотонапряжения на барьере и определяется в основном временем установления равновесия между потоками электронов и дырок на поверхностные центры рекомбинации. При больших интенсивностях освещения время установления обратно пропорционально интенсивности освещения, что приводит при интенсивностях, соответствующих полному запиранию катода, к ограничению заряда эмиссии. Время релаксации фотонапряжения может достигать микросекунд. Сравнение результатов расчета зависимости квантового выхода от фотонапряжения с экспериментом позволяет восстановить зависимость туннельной прозрачности активационного слоя от фотонапряжения.