На примере системы пористый кремний (por-Si)-кремний (Si) показана возможность эффективного неразрушающего исследования морфологии границы раздела полупроводниковых слоистых систем, а также состава многокомпонентных слоев методами эллипсометрии и резерфордовского обратного рассеяния. Обоими методами определен процентный состав основных компонентов por-Si: кристаллического кремния, оксида кремния и пустот (пористость). Показано, что por-Si, полученный импульсным анодированием, содержит значительное количество оксида кремния. Показано также, что спектральная эллипсометрия позволяет определить удельное соотношение отдельных слоев или компонент многослойных и многокомпонентных систем (при знании спектральной дисперсии оптических констант этих компонент).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.