Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мощное дальнее инфракрасное излучение горячих дырок напряженной двумерной структуры InGaAs / AlGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
На фоне насыщения вольт-амперной характеристики в сильном электрическом поле напряженной структуры InGaAs / AlGaAs обнаружено резкое возгорание дальнего инфракрасного излучения в полях около 1.5 кВ / см. При дальнейшем увеличении электрического поля интенсивность излучения изменяется немонотонно. Предполагается связь возгорания излучения с образованием доменов, являющихся причиной насыщения тока.
- L.E. Vorobjev, D.V. Donetsky, A. Kastalsky. In: Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1995) p. 221
- Yu.L. Ivanov, G.V. Churakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, D.V. Tarkhin. In: Nanostructures: Physics and Techology (St. Petersburg, 1995) p. 225
- L.E. Vorobjev, L.E. Golub, D.V. Donetsky. In: Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1996) p. 235
- V.Ya. Aleshkin at al. In: Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1996) p. 443
- L.G. Gerchikov, A.V. Subashiev. Phys. St. Sol. (b), 160, 2 443 (1990).
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. ЖЭТФ, 103, вып. 5, 91 (1993)
- E.V. Starikov, P.N. Shiktorov. Opt. Quant. Electron., 23, S247 (1991)
- А.М. Cohen. S.R. Aladim, G.E. Margues. Surf. Sci., 267, 464 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
