"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощное дальнее инфракрасное излучение горячих дырок напряженной двумерной структуры InGaAs / AlGaAs
Иванов Ю.Л.1, Морозов С.А.1, Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

На фоне насыщения вольт-амперной характеристики в сильном электрическом поле напряженной структуры InGaAs / AlGaAs обнаружено резкое возгорание дальнего инфракрасного излучения в полях около 1.5 кВ / см. При дальнейшем увеличении электрического поля интенсивность излучения изменяется немонотонно. Предполагается связь возгорания излучения с образованием доменов, являющихся причиной насыщения тока.
  1. L.E. Vorobjev, D.V. Donetsky, A. Kastalsky. In: Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1995) p. 221
  2. Yu.L. Ivanov, G.V. Churakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, D.V. Tarkhin. In: Nanostructures: Physics and Techology (St. Petersburg, 1995) p. 225
  3. L.E. Vorobjev, L.E. Golub, D.V. Donetsky. In: Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1996) p. 235
  4. V.Ya. Aleshkin at al. In: Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1996) p. 443
  5. L.G. Gerchikov, A.V. Subashiev. Phys. St. Sol. (b), 160, 2 443 (1990).
  6. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. ЖЭТФ, 103, вып. 5, 91 (1993)
  7. E.V. Starikov, P.N. Shiktorov. Opt. Quant. Electron., 23, S247 (1991)
  8. А.М. Cohen. S.R. Aladim, G.E. Margues. Surf. Sci., 267, 464 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.