Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 9 » Статья стр. 1114
<<<>>>
Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики инжекционных лазеров
Ковш А.Р.1, Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1, Устинов В.М.1, Шерняков Ю.М.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Воловик Б.В.1, Лунев А.В.1, Леденцов Н.Н.1, Копьев П.С.1, Алфёров Ж.И.1, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
PDF версия
Предложен новый метод, позволяющий увеличить поверхностную плотность полупроводниковых квантовых точек, формируемых молекулярно-пучковой эпитаксией на основе эффектов самоорганизации. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров на основе массивов квантовых точек с различной поверхностной плотностью. Показано, что использование более плотного массива квантовых точек позволяет значительно снизить пороговую плотность тока в области больших потерь, увеличить максимальное усиление, а также максимальную мощность выходного излучения.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  2. M. Asada, Y. Miyamoto, Y. Suematsu. J. Quant. Electron., QE-22, 1915 (1986)
  3. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  4. P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlatt. Mictostruct., 15, N 1, 15 (1994)
  5. V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele. J. Cryst. Growth, 175/176, 689 (1997)
  6. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, .V. Volovik, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, Z. L.iliental-Weber, D. Bimberg. Electron. Lett. (1998) (в печати)
  7. S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, D. Bimberg. Superlatt. Mictostruct., 21, 559 (1997)
  8. O.G. Schmidt, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M.H. Mao, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 32, N 14, 1302 (1996)
  9. V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.A. Bert, A.O. Kosogov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. Mater. Research Society [1995 Fall Meeting] (Boston, 1995) EE 3.6
  10. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N. Kobayashi. Phys. Rev. Lett., 75, 2542 (1995)
  11. А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Б.В. Воловик, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31, вып. 7, 851 (1997)
  12. А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, А.А. Суворова, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 31, вып. 1, 110 (1997)
  13. S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 51, N 20, 14 766 (1995)
  14. А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 30, вып. 9, 1682 (1996)
  15. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, вып. 12, 8743 (1996)
  16. А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ж.И. Алфёров, Д.Л. Федоров, Д. Бимберг. ФТП, 30, вып. 8, 1345 (1996)
  17. A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. J. Electron. Mater., 27, N 3, 106 (1998)
  18. L.V. Asryan, R.A. Suris. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1996) p. 354

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme