Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект усиления фототока в МОП-структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
В МОП структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком впервые обнаружен эффект усиления тока фотогенерации. Практически этот эффект может быть использован для повышения эффективности существующих фотодиодов на основе 6H-SiC для ультрафиолетовой области излучения и, кроме того, указывает на возможность создания биполярных SiC-транзисторов с туннельным МОП эмиттером.
- П.А. Иванов, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1921 (1995)
- M.A. Green, F.D. King. Sol. St. Electron., 7, 551 (1974)
- J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
- I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38, 1533 (1995)
- K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans., ED-35, 188 (1988)
- М.И. Векслер. ФТП, 30, 1718 (1996)
- И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17, N 13, 44 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
