Вышедшие номера
Эффект усиления фототока в МОП-структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком
Грехов И.В.1, Векслер М.И.1, Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

В МОП структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком впервые обнаружен эффект усиления тока фотогенерации. Практически этот эффект может быть использован для повышения эффективности существующих фотодиодов на основе 6H-SiC для ультрафиолетовой области излучения и, кроме того, указывает на возможность создания биполярных SiC-транзисторов с туннельным МОП эмиттером.