"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект усиления фототока в МОП-структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком
Грехов И.В.1, Векслер М.И.1, Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

В МОП структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком впервые обнаружен эффект усиления тока фотогенерации. Практически этот эффект может быть использован для повышения эффективности существующих фотодиодов на основе 6H-SiC для ультрафиолетовой области излучения и, кроме того, указывает на возможность создания биполярных SiC-транзисторов с туннельным МОП эмиттером.
  1. П.А. Иванов, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1921 (1995)
  2. M.A. Green, F.D. King. Sol. St. Electron., 7, 551 (1974)
  3. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  4. I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38, 1533 (1995)
  5. K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans., ED-35, 188 (1988)
  6. М.И. Векслер. ФТП, 30, 1718 (1996)
  7. И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17, N 13, 44 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.