Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках --- новый подход к формированию свойств материалов О б з о р
Мильвидский М.Г.1, Чалдышев В.В.2
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Рассмотрены физические механизмы и основные методы получения наноразмерных атомных кластеров в полупроводниках. Анализируются возможности управления свойствами кластеров и кластерных материалов. Обсуждаются некоторые электронные свойства полупроводников, содержащих наноразмерные кластеры, и возможности их применения в электронике.
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (Металлургия, М., 1984)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
- М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, Е.В. Соловьева. В сб.: Проблемы кристаллографии (М., Наука, 1987). Т. 3. С.215
- Rare Earth Doped Semiconductors, MRS Symposium Proc., v. 301, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Lander (Pittsburg, USA, 1993)
- В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1965).
- V.V. Voronkov. Semicond. Sci. Technol., 8, 2037 (1993)
- F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988).
- Н.А. Берт, В.В. Чалдышев. ФТП, 30, 1889 (1996)
- Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
- И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958)
- В.В. Воронков, М.Г. Мильвидский. Кристаллография, 33, 471 (1988)
- Е.В. Соловьева, М.Г. Мильвидский, А.И. Белогорохов, Г.И. Виноградова, Д.Т. Гоголадзе, Л.М. Долгинов, Н.В. Малькова, В.М. Новикова, А.Н. Осипова. ФТП, 25, 965 (1991)
- А.А. Чернов. Современная кристаллография (М., Наука, 1980). Т. 3. С. 7
- Zh.I. Alferov. Physica Scripta, 68, 32 (1996)
- M.L. Cohen, W. Knight. Phys. Today, No 12, 43 (1990)
- C.T. Dameron, R.N. Reese, R.K. Mehra, A.R. Korton, P.J. Carrol, M.L. Steigerwald, L.E. Brus, D.R. Winge. Nature, 338, 596 (1989)
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- Porous Silicon. Science and Technology, Ed. by J.-C. Vial, J. Derrier (Springer Verlag, Berlin, 1995)
- E. Edelberg, S. Bergh, R. Naone, M. Hall, E.S. Aydil. Appl. Phys. Lett., 68, 1415 (1996)
- A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeouf, D. Grischkowski, D.T. McInturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
- В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997).!! vadjust !!
- M. Grudmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heidenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
- Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 351 (1996)
- L. Guo, E. Leobandung, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 70, 850 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
