"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках --- новый подход к формированию свойств материалов О б з о р
Мильвидский М.Г.1, Чалдышев В.В.2
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Рассмотрены физические механизмы и основные методы получения наноразмерных атомных кластеров в полупроводниках. Анализируются возможности управления свойствами кластеров и кластерных материалов. Обсуждаются некоторые электронные свойства полупроводников, содержащих наноразмерные кластеры, и возможности их применения в электронике.
  1. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (Металлургия, М., 1984)
  2. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  3. М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, Е.В. Соловьева. В сб.: Проблемы кристаллографии (М., Наука, 1987). Т. 3. С.215
  4. Rare Earth Doped Semiconductors, MRS Symposium Proc., v. 301, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Lander (Pittsburg, USA, 1993)
  5. В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1965).
  6. V.V. Voronkov. Semicond. Sci. Technol., 8, 2037 (1993)
  7. F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988).
  8. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев. ФТП, 30, 1889 (1996)
  9. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
  10. И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958)
  11. В.В. Воронков, М.Г. Мильвидский. Кристаллография, 33, 471 (1988)
  12. Е.В. Соловьева, М.Г. Мильвидский, А.И. Белогорохов, Г.И. Виноградова, Д.Т. Гоголадзе, Л.М. Долгинов, Н.В. Малькова, В.М. Новикова, А.Н. Осипова. ФТП, 25, 965 (1991)
  13. А.А. Чернов. Современная кристаллография (М., Наука, 1980). Т. 3. С. 7
  14. Zh.I. Alferov. Physica Scripta, 68, 32 (1996)
  15. M.L. Cohen, W. Knight. Phys. Today, No 12, 43 (1990)
  16. C.T. Dameron, R.N. Reese, R.K. Mehra, A.R. Korton, P.J. Carrol, M.L. Steigerwald, L.E. Brus, D.R. Winge. Nature, 338, 596 (1989)
  17. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  18. Porous Silicon. Science and Technology, Ed. by J.-C. Vial, J. Derrier (Springer Verlag, Berlin, 1995)
  19. E. Edelberg, S. Bergh, R. Naone, M. Hall, E.S. Aydil. Appl. Phys. Lett., 68, 1415 (1996)
  20. A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeouf, D. Grischkowski, D.T. McInturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
  21. В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997).!! vadjust !!
  22. M. Grudmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heidenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  23. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  24. Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 351 (1996)
  25. L. Guo, E. Leobandung, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 70, 850 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.