"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние природы бомбардирующих ионов на образование радиационных дефектов в кремнии
Барабаненков М.Ю.1, Леонов А.В.1, Мордкович В.Н.1, Омельяновская Н.М.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучено влияние природы имплантированных ионов на формирование электрически активных дефектов в кремнии. Имплантация ионов кислорода O+ и азота N+ дозами 2· 1011 см-2 с энергией 75 кэВ и ионов аргона Ar+ дозой 7· 1010 см-2 с энергией 150 кэВ при температуре мишени 300 K обеспечивала во всех образцах n- и p-Si приблизительно одинаковое количество и пространственное распределение первичных радиационных дефектов. Обнаружено, что спектр устойчивых радиационных дефектов зависит от природы бомбардирующего иона. Так, DLTS-спектр n-Si, облученного ионами O+, имеет три пика, в то время как в спектре n-Si, имплантированного ионами N+, присутствует только один из них. В спектрах DLTS образцов n- и p-Si, имплантированных ионами O+ и N+, обнаружены пики обратной полярности (аномальные), энергетическое положение которых соответствует наиболее выраженным пикам в спектрах образцов кремния противоположного типа проводимости.
  1. J. Gulai. Handbook of Ion Implantation, ed. by I.F. Ziegler (Elsevier, Amsterdam, 1992)
  2. J.R. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instr. Meth., 174, 257 (1980)
  3. P.L.F. Hemment, E. Maydell-Ondrusz, K.S. Stevens. Vacuum, 34, 203 (1984)
  4. T. Tsujide, M. Nojiri, H. Kitagava. J. Appl. Phys., 51, 1605 (1980)
  5. А.И. Алешин, Л.С. Смирнов, В.Ф. Стась. ФТП, 17, 551 (1983)
  6. В.М. Пинчук, А.Н. Назаров, В.С. Лысенко, Т.В. Янчук. ФТП, 30, 2133 (1996)
  7. В.С. Вавилов, В.Ф. Кисилев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  8. L.G. Kimerling, J.L. Benton. Physica B, 116, 297 (1983)
  9. M.O. Aboelfotoh, B.G. Svensson. Phys. Rev. B, 52, 2522 (1995)
  10. M.A. Tranwaert, J. Vanhellemont, E. Simoen, C. Claeys, B. Johlander, L. Adams, P. Clauws. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 1747 (1992)
  11. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 29, 605 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.