Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесного массопереноса
Байзер М.В.1, Витухин В.Ю.1, Закурдаев И.В.1, Руденко А.И.1
1Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Методом дифракции медленных электронов исследована поверхность GaAs, отклоненная на 3o от (001), при нагреве в вакууме до температуры T=550oC в поле градиента температуры nabla T~=50 град/см. При отсутствии nabla T на поверхности образуется структура (1x4), которая сохраняется при отжиге в течение 1 ч. При наличии nabla T по направлениям [110] появляются дублеты, характерные для фасетированной поверхности. Аналогичная картина наблюдается после отжига кристаллов без nabla T при T=650/700oC, когда становится заметным испарение машьяка. Рассчитана величина теплоты переноса атомов Q*, которая составляет 2.3 эВ и близка к Q* у переходных металлов, что связывается с эффектом фононного увлечения атомов.
- A. Monakov, A. Shik. Abstracts of Invited Lectures of International Symposium "Nanostructures" (St. Petersburg, Russia, 1994) p. 159
- В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, Е.В. Богданов, А.П. Сеничкин. ФТП, 28, 1889 (1994)
- Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1295 (1995)
- А.О. Голубок, Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, С.Я. Типисев, Г.Э. Цырлин. ФТП, 28, 515 (1994)
- А.О. Голубок, Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, С.Я. Типисев, Г.Э. Цырлин. ФТП, 28, 904 (1994)
- В.Ю. Витухин, И.В. Закурдаев, О.В. Киреева, А.И. Руденко. Изв. РАН. Сер. физ., 60, N 7, 180 (1996)
- A.J. Van Bommel, J.E. Crombeen, T.G. Van Oirschat. Surf. Sci., 72, 95 (1978)
- И.В. Закурдаев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 40, N 8, 1554 (1976).
- M. Krishnamurthy, M. Wassermeier, D.R. Wiliams, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 62, 1922 (1993).
- Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. Диффузионные процессы на поверхности кристалла (М., Энергоатомиздат, 1984) с. 124
- В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969) с. 296
- Дж. Драбл, Г. Голдсмит. Теплопроводность полупроводников (М., ИЛ, 1963) с. 266
- H. Tokumoto, K. Miki, Y. Morito, T. Sato, M. Iwatsuki, M. Suzuki, T. Fukuda. Ultramicroscopy, 42--44, 816 (1992)
- S. Nagata, T.A. Tanaka. J. Appl. Phys., 48, 940 (1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук