Вышедшие номера
Фасетирование поверхности арсенида галлия, близкой по ориентации к (100), в условиях неравновесного массопереноса
Байзер М.В.1, Витухин В.Ю.1, Закурдаев И.В.1, Руденко А.И.1
1Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Методом дифракции медленных электронов исследована поверхность GaAs, отклоненная на 3o от (001), при нагреве в вакууме до температуры T=550oC в поле градиента температуры nabla T~=50 град/см. При отсутствии nabla T на поверхности образуется структура (1x4), которая сохраняется при отжиге в течение 1 ч. При наличии nabla T по направлениям [110] появляются дублеты, характерные для фасетированной поверхности. Аналогичная картина наблюдается после отжига кристаллов без nabla T при T=650/700oC, когда становится заметным испарение машьяка. Рассчитана величина теплоты переноса атомов Q*, которая составляет 2.3 эВ и близка к Q* у переходных металлов, что связывается с эффектом фононного увлечения атомов.