Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства кремния, термообработанного при 530oC и облученного электронами
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 16 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Методами емкостной спектроскопии глубоких уровней и эффекта Холла исследовано влияние термообработки при 530oC и последующего электронного облучения на электрические параметры монокристаллического кремния. Определено, что температура 530oC соответствует минимальной эффективности генерации кислородсодержащих термодоноров в интервале 500/600oC. Показано, что термодефекты, образующиеся при 530oC (КТД-530), не влияют на образование основных типов вторичных радиационных дефектов при последующем электронном облучении. Установлено, что спектр уровней КТД-530 имеет сложный характер, изменяющийся с длительностью термообработки. Определены их основные характеристики. Аномально малое сечение захвата электронов на КТД-530 и отсутствие взаимодействия кислородсодержащих термодоноров с первичными радиационными дефектами объясняется эффектом экранирования их взаимодействия с подвижными зарядами вследствие неоднородного пространственного распределения кислородсодержащих термодоноров. Оценена локальная концентрация кислородсодержащих термодоноров в микронеоднородностях: 1017/1019 см-3.
- A. Bourett. Proc. 13th Int. Conf. on Defects in Semicond., ed. by L.C. Kimerling, J.M. Parsey, Jr. Warendale (1985); Warendale. Metallurg. Soc. AIME (1985) p. 129
- P. Wagner, J. Hage. Appl. Phys. A, A49, 123 (1989)
- В.М. Бабич, Н.П. Баран, Ю.П. Доценко, Л.Т. Зотов, В.Б. Ковальчук. ФТП, 26, 447 (1992)
- K. Schmalz, P. Gaworzewski. Phys. St. Sol. (a), 64, 151 (1981)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (М., Наука, 1991)
- Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1985)
- В.И. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
- В.Б. Неймаш, Т.Р. Саган, В.М. Цмоць, В.И. Шаховцов, В.Л. Шиндич, В.С. Штым. Укр. физ. журн., 37, 437 (1992)
- А.Н. Кабалдин, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, А.В. Батунина, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, В.П. Калинушкин. Укр. физ. журн., 38, 34 (1993)
- В.Б. Неймаш, Т.Р. Саган, В.М. Цмоць, В.И. Шаховцов, В.Л. Шиндич. ФТП, 25, 1857 (1991)
- А.Н. Кабалдин, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, В.И. Шаховцов, В.С. Штым. Укр. физ. журн., 40, 218 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
