Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Образование квазимолекул Se2 в кремнии, легированном селеном
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Исследована кинетика формирования примесных комплексов, связанных с селеном. Получены зависимости стационарной концентрации комплексов от температуры и от концентрации атомов селена в узлах кристаллической решетки кремния. Установлено, что в процессе взаимопревращений электрически активных комплексов в диапазоне 670-1000oC в любой точке пространственного распределения примеси остается неизменным полное количество атомов, участвующих в реакциях комплексообразования. Кинетика накопления центра с энергией ионизации 0.2 эВ удовлетворительно описывается схемой квазихимических реакций образования и распада квазимолекулы Se2. В приближении идеальных сильно разбавленных растворов для энергии связи квазимолекулы Se2 получено значение 1.35 эВ.
- F.A. Trumbor. Bell Syst. Techn. J., 39, 205 (1960)
- V.E. Borisenko, S.G. Yudin. Phys. St. Sol., 101, 123 (1987)
- А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. Письма ЖЭТФ, 60, 96 (1994)
- А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. ФТП, 31, 338 (1997)
- А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. ФТП, 31, 703 (1997)
- P.A. Stolk, H.-J. Gossmann, D.J. Eagleham, D.C. Jacolson, J.M. Poat, H.S. Luftman. Appl. Phys. Lett., 66, 568 (1995)
- P.A. Stolk, D.J. Eagleham, H.-J. Gossmann, J.M. Poat. Appl. Phys. Lett., 66, 1370 (1995)
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайнер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1987)
- H.R. Vydyanath, J.S. Lorenzo, F.A. Kroger. J. Appl. Phys., 49, 5928 (1978)
- V.A. Singh, U. Lindefelt, A. Zunger. Phys. Rev. B, 27, 4909 (1983)
- H. Overhof, M. Scheffler, C.M. Weinert. Phys. Rev. B, 43, 12 494 (1991)
- G. Pensl, G. Roos, C. Holm, P. Wagner. Mater. Sci. Forum, 10--11, 911 (1986)
- H.G. Grimmeiss, E. Janzen. MRS Symp. Proc., 14, 33 (1983)
- Н.Н. Герасименко, Б.А. Зайцев, А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 24, деп. Р-4901/88 (1990)
- E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1983)
- J.C. Swartz, D.H. Lemmon, R.N. Thomas. Sol. St. Commun., 36, 331 (1980)
- Б.А. Зайцев, А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. Препринт 2 ИФП СО АН СССР (Новосибирск, 1990)
- К.В. Гардинер. Стохастические методы в естественных науках (М.: Мир, 1986)
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Статическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1969)
- M. Koiwa. Cryst. Lattice Def., 4, 65 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
