Вышедшие номера
Образование квазимолекул Se2 в кремнии, легированном селеном
Таскин А.А.1, Тишковский Е.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Исследована кинетика формирования примесных комплексов, связанных с селеном. Получены зависимости стационарной концентрации комплексов от температуры и от концентрации атомов селена в узлах кристаллической решетки кремния. Установлено, что в процессе взаимопревращений электрически активных комплексов в диапазоне 670-1000oC в любой точке пространственного распределения примеси остается неизменным полное количество атомов, участвующих в реакциях комплексообразования. Кинетика накопления центра с энергией ионизации 0.2 эВ удовлетворительно описывается схемой квазихимических реакций образования и распада квазимолекулы Se2. В приближении идеальных сильно разбавленных растворов для энергии связи квазимолекулы Se2 получено значение 1.35 эВ.