Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экспериментальное исследование поперечного эффекта Нернста--Эттингсгаузена и термоэдс при большом градиенте температуры
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 19 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Исследованы поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена и термоэдс компенсированного германия с концентрацией электронов n=2· 1011 см-3 в зависимости от градиента температуры в диапазоне (2/1.5· 103) K·см-1 при средней температуре 350 K. Показано, что механизм рассеяния носителей заряда не зависит от величины градиента температуры, а термоэдс Бенедикса обусловлена разогревом носителей тока тепловым полем.
- Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- Л.П. Булан, Р.Б. Ладыка. ФТП, 24, 1221 (1982)
- М.М. Гаджиалиев. В кн.: Плазма в полупроводниках (Махачкала, 1984) с. 21
- И.М. Цидильковский. Термомагнитные явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1960) с. 290
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
