Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур
Соловьев В.А.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Сообщается о новых возможностях растровой электронной микроскопии для определения положения гетерограниц в длинноволновых лазерных структурах с использованием сигналов вторичных и отраженных электронов. Проведен анализ формирования указанных сигналов в структурах нового типа лазеров среднего инфракрасного диапазона на основе гетеропереходов II типа GaInAsSb/InGaAsSb, а также в традиционных гетероструктурах InAsSb/InAsSbP. Дано объяснение наблюдаемых особенностей формирования сигналов вторичных и отраженных электронов в этих структурах в сравнении с хорошо изученными структурами AlGaAs/GaAs. Полученные результаты необходимы для точного определения такого важного параметра лазеров, как положение p-n-перехода. Показано, что более предпочтительным является использование сигнала отраженных электронов.
- Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 1265 (1995)
- H.K. Choi, G.W. Turner, Z.L. Liau. Appl. Phys. Lett., 65, 2251 (1995)
- D.H. Show, R.H. Miles, T.C. Hasenberg, A.R. Cost, Y.-H. Zang, H.L. Dunlap, L. Wwst. Appl. Phys. Lett., 64, 3700 (1995)
- J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.J. Cho. Appl. Phys. Lett., 68, 3680 (1996)
- A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. Proc. SPIE, 1724, 2 (1992)
- К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 399 (1996)
- К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23(2), 55 (1997)
- J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A. Hutchinson, A. Cho. Science, 264, 553 (1994)
- J. Faist, C. Sirtori, F. Capasso, D.L. Sivco, J. Baillargeon, A. Hutchinson, S.-N. Chu, A. Cho. CLEO-96, Anaheim, California, Lune 2--7, 1996, CPD9-2
- С.Г. Конников. В кн.: Полупроводниковые гетероструктуры, под ред. Ж.И. Алферова (М., Мир, 1989)
- Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлин, Д. Джой, Ч. Фиори, Э. Лифшин. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ (М., Мир, 1984), кн. 1
- В.А. Соловьев, С.А. Соловьев, В.Е. Уманский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 54, 232 (1990)
- С.Г. Конников, В.А. Соловьев, В.Е. Уманский, А.А. Хусаинов, В.М. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 21, 1648 (1987)
- В.А. Соловьев, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23(3), 233 (1997)
- Л.А. Бакалейников, С.Г. Конников, В.А. Соловьев, В.Е. Уманский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 51, 458 (1987)
- A. Konkol, P.R. Wilshow, G.R. Booker. Ultramicroscopy, 55, 183 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
