Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 11 » Статья стр. 1300
<<<>>>
Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур
Соловьев В.А.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
PDF версия
Сообщается о новых возможностях растровой электронной микроскопии для определения положения гетерограниц в длинноволновых лазерных структурах с использованием сигналов вторичных и отраженных электронов. Проведен анализ формирования указанных сигналов в структурах нового типа лазеров среднего инфракрасного диапазона на основе гетеропереходов II типа GaInAsSb/InGaAsSb, а также в традиционных гетероструктурах InAsSb/InAsSbP. Дано объяснение наблюдаемых особенностей формирования сигналов вторичных и отраженных электронов в этих структурах в сравнении с хорошо изученными структурами AlGaAs/GaAs. Полученные результаты необходимы для точного определения такого важного параметра лазеров, как положение p-n-перехода. Показано, что более предпочтительным является использование сигнала отраженных электронов.
  1. Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 1265 (1995)
  2. H.K. Choi, G.W. Turner, Z.L. Liau. Appl. Phys. Lett., 65, 2251 (1995)
  3. D.H. Show, R.H. Miles, T.C. Hasenberg, A.R. Cost, Y.-H. Zang, H.L. Dunlap, L. Wwst. Appl. Phys. Lett., 64, 3700 (1995)
  4. J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.J. Cho. Appl. Phys. Lett., 68, 3680 (1996)
  5. A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. Proc. SPIE, 1724, 2 (1992)
  6. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 399 (1996)
  7. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23(2), 55 (1997)
  8. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A. Hutchinson, A. Cho. Science, 264, 553 (1994)
  9. J. Faist, C. Sirtori, F. Capasso, D.L. Sivco, J. Baillargeon, A. Hutchinson, S.-N. Chu, A. Cho. CLEO-96, Anaheim, California, Lune 2--7, 1996, CPD9-2
  10. С.Г. Конников. В кн.: Полупроводниковые гетероструктуры, под ред. Ж.И. Алферова (М., Мир, 1989)
  11. Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлин, Д. Джой, Ч. Фиори, Э. Лифшин. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ (М., Мир, 1984), кн. 1
  12. В.А. Соловьев, С.А. Соловьев, В.Е. Уманский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 54, 232 (1990)
  13. С.Г. Конников, В.А. Соловьев, В.Е. Уманский, А.А. Хусаинов, В.М. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 21, 1648 (1987)
  14. В.А. Соловьев, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23(3), 233 (1997)
  15. Л.А. Бакалейников, С.Г. Конников, В.А. Соловьев, В.Е. Уманский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 51, 458 (1987)
  16. A. Konkol, P.R. Wilshow, G.R. Booker. Ultramicroscopy, 55, 183 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme