Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Усов С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Черкашин Н.А.
Center for Material Elaboration
5
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Андреев В.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кузнецов В.П.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алиев Ф.Ф.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
4
Ладугин М.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Мармалюк А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Петрунов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мизеров М.Н.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Пирогов Е.В.
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Синицын М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Бордовский Г.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Самсоненко Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Терентьев Я.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Семенов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Jedrzejewski J.
Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem, Israel
3
Новиков В.А.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Редькин А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Джафаров М.Б.
Азербайджанский государственный аграрный университет, A Гянджа, Азербайджан
3
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Садофьев Ю.Г.
Trion Technology, AZ Tempe, USA
3
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Тимошина Н.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Болтовец Н.С.
Государственное предприятие
3
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шеремет В.Н.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Сизов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лантратов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
2
Даниловский Э.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузьмин Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Ницук Ю.А.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Яцун В.В.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Насибов А.С.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Шапкин П.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Скуратов В.А.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2
Черков А.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Яновицкая З.Ш.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Balberg I.
Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel
2
Иванов А.Г.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Геллер Н.М.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Шаманин В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Серебренникова О.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Степуренко А.А.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Гумметов А.Э.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Константинов П.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мартышов М.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Вавилова Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Эльфолюм", Санкт-Петербург, Россия
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хрипунов Г.С.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закгейм А.Л.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никитенко В.Р.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Hytch M.J.
Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
2
Ивонин И.В.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Белогорохов И.А.
Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2
Мамичев Д.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Дронов М.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Пушкарев В.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Томилова Л.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Полетаев Н.К.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Киселюк М.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Глотов А.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давидюк Г.Е.
Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Корсунская Н.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Хоменкова Л.Ю.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Романов Р.И.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Зуев В.В.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Фоминский В.Ю.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Демин М.В.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Явич Б.С.
ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
2
Толбанов О.П.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Емельченко Г.А.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Волков В.Т.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Якимов Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ракова Е.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Алиев С.А.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Селим-заде Р.И.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Броневой И.Л.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Забегаев Д.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Кривоносов А.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Яфясов А.М.
Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет, кафедра электроники твердого тела), Санкт-Петербург, Россия
2
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковш А.Р.
Innolume GmbH, Dortmund, Deutschland
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Падалица А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зерова В.Л.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Паневин В.Ю.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Софронов А.Н.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Тхумронгсилапа П.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Shterengas L.
Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
2
Kipshidze G.
Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
2
Hosoda T.
Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
2
Бурдов В.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кукушкин В.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Ластовкин А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Samal N.
Trion Technology, AZ Tempe, USA
2
Гавриленко Л.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Красильникова Л.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов В.Н.
Государственное предприятие
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Минтаиров А.М.
EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN,, USA
2
Merz J.L.
EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN,, USA
2
Александрова Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тамеев А.Р.
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
2
Ванников А.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рожков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмагин В.Б.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов М.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Емельянов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Атабаев И.Г.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Хажиев М.У.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Матчанов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Салиев Т.М.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Федулова Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гущина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук