"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10546
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
45
Распределение количества просмотров по годам:
558304
525094
509194
457064
395069
379935
350428
311052
383357
486715
481220
439646
439277
447510
430834
444343
465302
473667
414932
442096
413750
531521
541689
533257
508000
551642
555038
534664
507036
463212
362161
258552
137400
46531
2384
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
195
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
279
274
295
249
323
261
57

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2010 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Усов С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Черкашин Н.А.
Center for Material Elaboration
5
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Андреев В.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кузнецов В.П.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алиев Ф.Ф.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
4
Ладугин М.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Мармалюк А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Петрунов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мизеров М.Н.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Пирогов Е.В.
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Синицын М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Бордовский Г.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Самсоненко Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Терентьев Я.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Семенов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Jedrzejewski J.
Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem, Israel
3
Новиков В.А.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Редькин А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Джафаров М.Б.
Азербайджанский государственный аграрный университет, A Гянджа, Азербайджан
3
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Садофьев Ю.Г.
Trion Technology, AZ Tempe, USA
3
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Тимошина Н.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Болтовец Н.С.
Государственное предприятие
3
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шеремет В.Н.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Сизов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лантратов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
2
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Даниловский Э.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузьмин Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Ницук Ю.А.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Яцун В.В.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Насибов А.С.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Шапкин П.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Скуратов В.А.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2
Черков А.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шварц Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Яновицкая З.Ш.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Balberg I.
Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel
2
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Серебренникова О.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Степуренко А.А.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Торхов Н.А.
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2
Свешников Ю.Н.
ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
2
Мартышов М.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Павлов М.М.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Hytch M.J.
Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
2
Усмонов Ш.Н.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Жигунов Д.М.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Белогорохов И.А.
Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2
Мамичев Д.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Дронов М.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Пушкарев В.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Томилова Л.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Полетаев Н.К.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Tsai Jung-Hui
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 116, Ho-ping 1 st Road, Kaohsiung, Taiwan
2
Lour Wen-Shiung
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, 2 Peining Road, Keelung, Taiwan
2
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Глотов А.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давидюк Г.Е.
Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2
Божко В.В.
Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2
Кажукаускас В.
Институт прикладных исследований, Вильнюсский университет (факультет физики полупроводников), Вильнюс, Литва
2
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Корсунская Н.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Savir E.
Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem, Israel
2
Романов Р.И.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Зуев В.В.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Фоминский В.Ю.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Демин М.В.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Явич Б.С.
ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
2
Толбанов О.П.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Емельченко Г.А.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Волков В.Т.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Якимов Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ракова Е.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Алиев С.А.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Броневой И.Л.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Забегаев Д.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Кривоносов А.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Яфясов А.М.
Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет, кафедра электроники твердого тела), Санкт-Петербург, Россия
2
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Hytch M.
Center for Material Elaboration
2
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковш А.Р.
Innolume GmbH, Dortmund, Deutschland
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Падалица А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Косяченко Л.А.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Паневин В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Софронов А.Н.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Shterengas L.
Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
2
Kipshidze G.
Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
2
Belenky G.
Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
2
Бурдов В.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кукушкин В.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Гавриленко Л.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Красильникова Л.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Спирин К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Кытин В.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кудрик Я.Я.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Минтаиров А.М.
EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN,, USA
2
Александрова Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рожков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмагин В.Б.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов М.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Емельянов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Атабаев И.Г.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Хажиев М.У.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Матчанов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Салиев Т.М.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Федулова Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
92
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
20
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
16
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
16
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
16
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
9
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
9
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
7
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
6
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
5
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
5
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
4
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
4
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
3
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
3
Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
3
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2
Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, Toulouse, France
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Center for Material Elaboration
2
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
2
Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
2
Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel
2