"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
Винокуров Д.А.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Растегаева М.Г.1, Рожков А.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1190 нм. Показано, что в данных лазерах активная область является релаксированной, что проявляется в разбросе достигаемой максимальной мощности для различных лазеров, полученных из одной гетероструктуры. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для таких лазеров составила 5.5 Вт на зеркало.
  1. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34 (12), 1457 (2000)
  2. С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. ПЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
  3. А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.В. Лютецкий, Л.С. Вавилова, В.В. Васильева, А.А. Мармалюк, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ПЖТФ, 34 (13), 25 (2008)
  4. F. Heinrichsdroff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 71 (1), 22 (1997)
  5. С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
  6. С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, И.Н. Каяндер, Е.Ю. Кондратьева, Д.А. Лившиц, И.С. Тарасов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34 (1), 117 (2000)
  7. D.A. Livshits, A.Y. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36 (16), 1381 (2000)
  8. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M.C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, K. Uomi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (3), 719 (1997)
  9. N. Tansu, J.-Y. Yeh, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 82 (23), 4038 (2003)
  10. T.K. Sharma, M. Zorn, U. Zeimer, H. Kissel, F. Bugge, M. Weyers. Cryst. Res. Technol., 40 (9), 877 (2005)
  11. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (10), 1374 (2009)
  12. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
  13. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)
  14. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.