Вышедшие номера
Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
Кузнецов В.П.1,2, Шмагин В.Б.2, Марычев М.О.3, Кудрявцев К.Е.2, Кузнецов М.В.1, Андреев Б.А.2, Карнаухов А.В.1, Горшков О.Н.1, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Слои Si : Er в диодных структурах легировались Al, Ga или B в процессе выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Результат: в диодах с толстой базой (до 0.8 мкм) наблюдалось резкое увеличение интенсивности электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм.