Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge
Емельянов В.М.1, Калюжный Н.А.1, Минтаиров С.А.1, Шварц М.З.1, Лантратов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
Теоретически исследовано влияние параметров субэлементов на величину кпд в каскадных солнечных элементах на основе GaInP/Ga(In)As/Ge при облучении электронами с энергией 1 МэВ с дозами до 3·1015 см-2. Определены оптимальные толщины субэлементов GaInP и GaInAs, обеспечивающие наилучшее согласование фототоков при различных дозах облучения как в солнечных элементах со встроенными брэгговскими отражателями, так и без них. Рассчитаны зависимости кпд фотопреобразователей от дозы электронов с энергией 1 МэВ и времени нахождения на геосинхронной орбите при оптимизации структур элементов на начало и конец срока эксплуатации. Показано, что оптимизация гетероструктур субэлементов под расчетную дозу радиационного облучения и встраивание в структуру брэгговских отражателей позволяют обеспечить суммарное увеличение кпд при эксплуатации солнечных элементов на орбите на 5% по сравнению с неоптимизированными элементами без брэгговского отражателя.
- M. Meusel, C. Baur, W. Guter, M. Hermle, F. Dimroth, A.W. Bett, T. Bergunde, R. Dietrich, R. Kern, W. Kostler, M. Nell, W. Zimmermann, G. LaRoche, G. Strobl, S. Taylor, C. Signorini, G. Hey. Proc. 20th EPSEC (Barcelona, 2005) p. 20
- T. Sumita, M. Imaizumi, S. Matsuda, T. Ohshima, A. Ohi, T. Kamiya. Proc. 3rd WCPVEC (2003) p. 689
- V.M. Lantratov, I.V. Kochnev, M.Z. Shvarts. Proc. 27th SOTAPOCS Electrochemical Society, v. 97--21, p. 125
- M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, V.M. Andreev. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 68, 105 (2001)
- V. Emelyanov, N. Kaluzhniy, S. Mintairov, M. Shvarts, V. Lantratov. Intern. Conf. on Micro- and Nano-Electronics 2009, Proc. SPIE (SPIE, Bellingham, WA, 2010) v. 7521, 75210D
- В.М. Андреев, В.С. Калиновский, О.В. Сулима и др. ФТП, 22, 881 (1988)
- K.A. Bertness, M.L. Ristow, M.E. Klausmeier-Brown, M. Grounner, M.S. Kuryla, M.S. Werthen. Proc. 21st IEEE PVSC (Kissimimee, FL, 1990) p. 1231
- K.A. Bertness, B.T. Cavicchi, S.R. Kurtz, J.M. Olson, A.E. Kibbler, C. Kramer. Proc. 22nd IEEE PVSEC (Las Vegas, NV, 1991) p. 1582
- V.P. Khvostikov, V.R. Larionov, E.V. Paleeva, S.V. Sorokina, O.I. Chosta, M.Z. Shvarts, N.S. Zimogorova. Proc. 4th Europ. Space Power Conf. (Poitiers, France, 1995) v. 2, p. 359
- V.M. Andreev, V.S. Kalinovskii, O.V. Sulima. Proc. 10th EPVSEC (Lisbon, 1991) p. 52
- O.I. Chosta, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov, M.Z. Shvarts. Proc. 14th EPVSEC (Barcelona, 1997) p. P6A.14
- J. Loferski, P. Rappaport. J. Phys. Rev., 111, 432 (1957)
- F. Junga, A. Enslow. IRE Trans., NS-6, 49 (1959)
- W. Rosenzweig, H.K. Gummel, F.M. Smits. Bell Syst. Techn. J., 42, 399 (1963)
- W. Rosenzweig, F.M. Smits, W.L. Brown. J. Appl. Phys., 35, 2707 (1964)
- А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые фотопреобразователи (М., Сов. радио, 1971)
- В.М. Емельянов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, В.М. Лантратов. Научно-технические ведомости СПбГПУ: Физико-метематические науки, 77, 14 (2009)
- С.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 44, 1118 (2010)
- M. Yamaguchi, T. Sasaki, H-S. Lee, C. Morioka, N.J. Ekins-Daukes, M. Imaizumi, T. Takamoto, T. Ohshima. Proc. 33rd IEEE PVSC (San Diego, USA, 2008) PVSC.2008.4922716
- S. Sato, H. Miyamoto, M. Imaizumi, K. Shimazaki, C. Morioka, K. Kawano, T. Ohshima. Proc. 33rd IEEE PVSC (San Diego, USA, 2008) PVSC.2008.4922706
- D.E. Aspnes, S.M. Kelso, R.A. Logan, R. Bhat. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986)
- S.S. Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information (Kluwer Academic, Boston, 1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.