Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние поверхностных химических обработок на свойства контактов Ti-p-Si1-xGex и Ni-p-Si1-xGex
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 15 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
Исследовано влияние различных химических обработок поверхности твердого раствора на свойства контактов Ti-p-SiGe и Ni-p-SiGe, полученных термическим напылением в вакууме при температуре подложки 350-400oC. Травление в различных режимах использовалось для формирования исходной поверхности с различной плотностью поверхностных состояний. Показано, что в структурах на основе никеля при термическом напылении контактов образуется промежуточный слой германосилицида никеля, оказывающего существенное влияние на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур.
- Zs.J. Horva'th, M.A'da'm, I. Szabo, M. Sere'nyi, Vo Van Tuyen. Appl. Surf. Sci., 190, 441 (2002)
- A. Keffous, M. Zitouni, Y. Belkacem, H. Menari, W. Chergui. Appl. Surf. Sci., 199, 22 (2002)
- H. Rahab, A. Kelous, H. Menari, W. Chergui, N. Boussaa, M. Siad. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 459, 200 (2001)
- G. Ottaviani, K.N. Tu, J.W. Mayer. Phys. Rev. B, 24, 3354 (1981)
- М.С. Саидов, Р.А. Муминов, И.Г. Атабаев и др. Атом. энергия, 81 (4), 270 (1996)
- И.Г. Атабаев, Н.А. Матчанов, Э.Н. Бахранов, М.У. Хажиев. Неорг. матер., 44 (9), 775 (2008)
- Н.А. Матчанов. ДАН АН УзР, N 6, 34 (2008)
- И.Г. Атабаев, М.У. Хажиев. ДАН АН УзР, N 6, 43 (2009)
- В.Т. Малаева. Автореф. канд. дис. (Ташкент, 1985)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 275, 285--287 и 395--397
- H.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
- S.P. Ashburn, M.C. Ozturk, J.J. Wortman, G. Harris, J. Honeycutt, D.M. Maher. J. Electron. Mater., 21 (1), 81 (1992)
- K.L. Pey, W.K. Choi, S. Chattopadhyay, H.B. Zhao, E.A. Fitzgerald, D.A. Antoniadis, P.S. Lee. J. Vac. Sci. Technol. A, 20 (6), 1903 (2002)
- Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
- L.J. Jin, K.L. Pey, W.K. Choi, E.A. Fitzgerald, D.A. Antoniadis, A.J. Pitera, M.L. Lee, D.Z. Chi, C.H. Tung. Thin Sol. Films, 462--463, 151 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
