"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние поверхностных химических обработок на свойства контактов Ti-p-Si1-xGex и Ni-p-Si1-xGex
Атабаев И.Г.1, Хажиев М.У.1, Матчанов Н.А.1, Салиев Т.М.1, Бобожонов К.А.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 15 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Исследовано влияние различных химических обработок поверхности твердого раствора на свойства контактов Ti-p-SiGe и Ni-p-SiGe, полученных термическим напылением в вакууме при температуре подложки 350-400oC. Травление в различных режимах использовалось для формирования исходной поверхности с различной плотностью поверхностных состояний. Показано, что в структурах на основе никеля при термическом напылении контактов образуется промежуточный слой германосилицида никеля, оказывающего существенное влияние на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур.
  1. Zs.J. Horva'th, M.A'da'm, I. Szabo, M. Sere'nyi, Vo Van Tuyen. Appl. Surf. Sci., 190, 441 (2002)
  2. A. Keffous, M. Zitouni, Y. Belkacem, H. Menari, W. Chergui. Appl. Surf. Sci., 199, 22 (2002)
  3. H. Rahab, A. Kelous, H. Menari, W. Chergui, N. Boussaa, M. Siad. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 459, 200 (2001)
  4. G. Ottaviani, K.N. Tu, J.W. Mayer. Phys. Rev. B, 24, 3354 (1981)
  5. М.С. Саидов, Р.А. Муминов, И.Г. Атабаев и др. Атом. энергия, 81 (4), 270 (1996)
  6. И.Г. Атабаев, Н.А. Матчанов, Э.Н. Бахранов, М.У. Хажиев. Неорг. матер., 44 (9), 775 (2008)
  7. Н.А. Матчанов. ДАН АН УзР, N 6, 34 (2008)
  8. И.Г. Атабаев, М.У. Хажиев. ДАН АН УзР, N 6, 43 (2009)
  9. В.Т. Малаева. Автореф. канд. дис. (Ташкент, 1985)
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 275, 285--287 и 395--397
  11. H.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
  12. S.P. Ashburn, M.C. Ozturk, J.J. Wortman, G. Harris, J. Honeycutt, D.M. Maher. J. Electron. Mater., 21 (1), 81 (1992)
  13. K.L. Pey, W.K. Choi, S. Chattopadhyay, H.B. Zhao, E.A. Fitzgerald, D.A. Antoniadis, P.S. Lee. J. Vac. Sci. Technol. A, 20 (6), 1903 (2002)
  14. Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
  15. L.J. Jin, K.L. Pey, W.K. Choi, E.A. Fitzgerald, D.A. Antoniadis, A.J. Pitera, M.L. Lee, D.Z. Chi, C.H. Tung. Thin Sol. Films, 462--463, 151 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.