"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si(111)
Киселюк М.П.1, Власенко А.И.1, Генцарь П.А.1, Вуйчик Н.В.1, Заяц Н.С.1, Кругленко И.В.1, Литвин О.С.1, Криськов Ц.А.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Каменец-Подольский национальный университет, Каменец-Подольский, Украина
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1.4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si(111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si(111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок.
  1. В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Научная мысль, 1980)
  2. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
  3. Y. Oyama, T. Tanabe, F. Sato, A. Kenmochi, J. Nishizawa, T. Sasaki, K. Suto. J. Cryst. Growth, 310, 1923 (2008)
  4. H.F. Jurca, I. Mazzaro, W.H. Schreiner, D.H. Mosca, M. Eddrief, V.H. Etgens. Thin. Sol. Films, 515, 1470 (2006)
  5. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  6. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Научная мысль, 1987)
  7. П.А. Генцарь, А.И. Власенко, А.В. Стронский. Физика и химия твердого тела, 8 (1), 48 (2007)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.