Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag₂Te при низких температурах

Алиев Ф.Ф.¹, Джафаров М.Б.¹, Аскерова Г.З.¹, Годжаев Э.М.²

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

²Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан Azerbaijan Technical University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag₂Te при концентрациях акцепторов N_a=<q 4.2·10¹⁶ см^-3 в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma(T) и термоэдс alpha₀(T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma(T) и alpha₀(T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах.

Ф.Ф. Алиев, Э.М. Керимова, С.А. Алиев. ФТП, 36 (8), 912 (2002)
Ф.Ф. Алиев, М.Б. Джафаров. ФТП, 42 (11), 1292 (2008)
С.А. Алиев, Ф.Ф. Алиев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24 (21), 341 (1988)
С.А. Алиев, У.Х. Сугонов, М.И. Алиев. ФТП, 7 (10), 2024 (1973)
Ф.Ф. Алиев. ФТП, 37 (8), 1082 (2003)
F.F. Aliev. Symp. on Math. and Conput. Appl. (Baku, Septempber 1-3, 1999) p. 80
В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26 (2), 201 (1992)
С.А. Алиев, Ф.Ф. Алиев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 21 (11), 1869 (1985)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
А.И. Вейс, С.А. Немов. ФТП, 15 (6), 1237 (1981)
С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 22 (8), 1370 (1988)
В.И. Кайданов, С.А. Немов. ФТП, 15 (3), 542 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель