"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag2Te при низких температурах
Алиев Ф.Ф.1, Джафаров М.Б.1, Аскерова Г.З.1, Годжаев Э.М.2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag2Te при концентрациях акцепторов Na=<q 4.2·1016 см-3 в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma(T) и термоэдс alpha0(T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma(T) и alpha0(T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах.
  1. Ф.Ф. Алиев, Э.М. Керимова, С.А. Алиев. ФТП, 36 (8), 912 (2002)
  2. Ф.Ф. Алиев, М.Б. Джафаров. ФТП, 42 (11), 1292 (2008)
  3. С.А. Алиев, Ф.Ф. Алиев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24 (21), 341 (1988)
  4. С.А. Алиев, У.Х. Сугонов, М.И. Алиев. ФТП, 7 (10), 2024 (1973)
  5. Ф.Ф. Алиев. ФТП, 37 (8), 1082 (2003)
  6. F.F. Aliev. Symp. on Math. and Conput. Appl. (Baku, Septempber 1-3, 1999) p. 80
  7. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26 (2), 201 (1992)
  8. С.А. Алиев, Ф.Ф. Алиев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 21 (11), 1869 (1985)
  9. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  10. А.И. Вейс, С.А. Немов. ФТП, 15 (6), 1237 (1981)
  11. С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 22 (8), 1370 (1988)
  12. В.И. Кайданов, С.А. Немов. ФТП, 15 (3), 542 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.