"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n+-Si-SiO2-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда
Гольдман Е.И.1, Гуляев Ю.В.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO2-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO2 отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0.5m0, а высота барьера меньше 3.1 эВ.
  1. O. Simonetti, T. Maurel, M. Jourdain. J. Appl. Phys., 92, 4449 (2002)
  2. Y.T. Hou, M.F. Li, W.H. Lai, Y. Jin. Appl. Phys. Lett., 78, 4034 (2001)
  3. L.F. Register, E. Rosenbaum, K. Yang. Appl. Phys. Lett., 74, 457 (1999)
  4. S.M. Sze, K. Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices (N.J., John Willey and Sons, Ins., 2007)
  5. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 41, 1135 (2007)
  6. М.И. Елинсон, Г.Ф. Васильев. Автоэлектронная эмиссия (М., Гос. изд-во физ.-мат. л-ры, 1958)
  7. M. Stadele, F. Sacconi, A. Di Carlo, P. Lugli. J. Appl. Phys., 93, 2681 (2003)
  8. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, М.В. Черняев. ФТП, 42, 94 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.