Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-фарадные характеристики системы электролит-n-InN и электронные состояния на границе раздела

Рудинский М.Э.¹, Гуткин А.А.¹, Брунков П.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 декабря 2009 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены зависимости дифференциальной емкости системы вырожденный n-InN-электролит от напряжения смещения при частоте зондирующего напряжения 300 Гц. Количественный анализ этих характеристик проведен на основе одномерной модели структуры металл-диэлектрик-полупроводник в области напряжений смещения вблизи напряжения плоских зон и обеднения. Показано, что на величину емкости в этой области напряжений влияют электронные состояния на границе раздела. Оценены плотность и распределение по энергии этих состояний. Вид зависимости емкости от напряжения в области аккумуляции также свидетельствует о существовании состояний на границе раздела, энергия которых на несколько десятых эВ превышает энергию дна зоны проводимости. Плотность этих состояний растет с увеличением энергии.

J.W. Yim, R.E. Jones, K.M. Yu, J.W. Ager III, W. Walukiewicz, W.J. Schaff, J. Wu. Phys. Rev. B, 76, 041 303(R) (2007)
S.V. Ivanov, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, V.A. Vekshin, P.S. Kop'ev, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 269, 1 (2004)
A. Denisenko, C. Pietzka, A. Chuvilin, U. Kaiser, H. Lu, W.J. Schaff, E. Kohn. J. Appl. Phys., 105, 033 702 (2009)
А.А. Гуткин, М.Э. Рудинский, П.Н. Брунков. Нанофизика и наноэлектроника. Сб. тр. XIII Межд. симп. (Ин-т физики микроструктур РАН, Н. Новгород, 2009) т. 2, с. 324
X. Wang, S.-B. Che, Y. Ishitany, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 91, 242 111 (2007)
J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, H. Lu, W.J. Schaff. Phys. Rev. B, 66, 201 403 (2002)
R. Goldman, P. Schley, M. Roppischer. In: Indium Nitride and Related Alloys, ed. by T.D. Veal, C.F. McConville, W.J. Schaff (CRC Press, 2010)
П.Н. Брунков, А.А. Суворов, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, С.Г. Конников, Л. Ивс, П.С. Майн. ФТП, 32, 1229 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель