"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/p-Ag3AsS3
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Теруков Е.И.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Однородные объемные монокристаллы p-Ag3AsS3 с ромбической структурой выращены направленной кристаллизацией из расплава, состав которого соответствует атомному составу данного тройного соединения. Впервые созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры, основанные на получении контакта между поверхностью этих кристаллов и тонкими пленками чистого индия. Фоточувствительность полученных структур изучена в естественном и линейно поляризованном излучении. Спектры фоточувствительности структур In/p-Ag3AsS3 впервые получены и использованы для определения природы и энергии межзонных переходов в кристаллах p-Ag3AsS3. На поверхностно-барьерных структурах, полученных на ориентированных монокристаллах p-Ag3AsS3, исследовано явление естественного фотоплеохроизма. Сделан вывод о том, что монокристаллы Ag3AsS3 могут использоваться в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения.
  1. J.D. Feichtner, R. Johannes, Z.W. Roland. Appl. Opt., 9, 1716 (1970)
  2. D.V. Tseng. Appl. Phys. Lett., 21, 382 (1972)
  3. M.C. Ohmer, R. Pandey. MRS Bulletin, 23, 16 (1998)
  4. B.H. Bairamov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. MRS Bulletin, 23, 41 (1998)
  5. J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semicondators: Grwth, Electronic Properties and Application (Oxford, Pergamon Press, 1975)
  6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. акад. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  7. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  8. E. Hernandes. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
  9. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. акад. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
  11. И.И. Головач, В.Ю. Сливка, Н.И. Довгошей, Н.Н. Сырбу, М.И. Головей, М.И. Гурзан. ФТП, 8, 2316 (1974)
  12. Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, 68 (1986)
  13. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
  14. В.Ю. Рудь. Автореф. канд. дис. (Ульяновск, УлГУ, 2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.