"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия
Иванов А.М.1, Котина И.М.2, Ласаков М.С.2, Строкан Н.Б.1, Тухконен Л.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Анализируется состояние поверхности границы раздела p-кремний-(нанотолщинный диэлектрик). Исследуются спектры DLTS в режимах перезарядки глубоких центров в объеме структуры, а также ее поверхностных состояний. Определен характер шумов в функции величины обратного напряжения в плане применения структуры в качестве детектора ядерных излучений. Сделано заключение, что используемый в структуре барьер обладает более высоким качеством при нанесении нанотолщинных пленок нитрида алюминия путем магнетронного распыления на постоянном, а не переменном токе.
  1. И.М. Котина, Л.М. Тухконен, Б.В. Спицын, А.Н. Блаут-Блачев, А.М. Ефременко, А.В. Корляков, В.В. Лучинин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. Тез. 6-й Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 7--9 июля 2008 г.) с. 262
  2. А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, И.М. Котина, Л.М. Тухконен, В.В. Лучинин, А.В. Корляков, А.М. Ефременко. Письма ЖТФ, 35 (10), 41 (2009)
  3. A.B. Gillespie. Signal, Noise and Resolution in Nuclear Counting Amplifiers (London, Pergamon Press Ltd, 1953) p. 155
  4. М.Е. Бойко, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, С.А. Голубков. ПТЭ, N 3, 111 (2000)
  5. А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ЖТФ, 70 (2), 139 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.