"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x
Гусейнов М.К.1, Курбанов М.К.1, Билалов Б.А.1, Сафаралиев Г.К.1
1Дагестанский государственный технический университет, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Приведены результаты теоретической оценки таких важных параметров процесса магнетронного распыления, как протяженность зоны термализации атомов и расстояние от мишени до условного анода. Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней SiC-AlN на подложках SiC и Al2O3 получены тонкие пленки твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x. Методами рентгенографии и электронной микроскопии проведены исследования структуры, состава пленок. Установлены факторы, определяющие состав и структуру пленок, а также условия формирования монокристаллических пленок (SiC)1-x(AlN)x на подложках SiC.
  1. А. Нурмагомедов, Н.Д. Сорокин, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 22 (10), (1986)
  2. Г.К. Сафаралиев, М.К. Курбанов, Н.В. Офицерова, Ю.М. Таиров. Изв. РАН. Неорг. матер., N 6. (1995)
  3. В.Л. Ласка, А.П. Митрофанов, С.Ф. Карманенко. Электрон. техн., сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, вып. 1 (106), 101 (1985)
  4. Я.И. Таруи. Основы технологии СБИС (М., Радио и связь, 1985)
  5. А.И. Ефимов, Л.П. Белорукова, И.В. Василькова, В.П. Чечев. Свойства неорганических соединений. Справочник (Л., Химия, 1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.