"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение гетероструктур на основе нанокристаллических слоев политипов карбида кремния
Семенов А.В.1, Лопин А.В.1, Пузиков В.М.1, Баумер В.Н.1, Дмитрук И.Н.2
1Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Показана возможность формирования гетероструктуры, состоящей из нанокристаллических слоев, - нижнего (на подложке) кубического политипа 3C и верхнего ромбоэдрического политипа 21R с использованием метода прямого ионного осаждения нанокристаллических пленок карбида кремния и градиентного нагрева подложек. Проведен детальный анализ структуры и последовательности расположения слоев карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, фемтосекундной фотолюминесценции, оптической спектроскопии. Обсуждается природа максимумов, наблюдаемых в спектрах фотолюминесценции, оптического отражения и поглощения.
  1. A. Fissel, U. Kaizer, B. Schroter, W. Richter, A. Bechstedt. Appl. Surf. Sci., 184 (1), 37 (2001)
  2. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (18), 89 (2002)
  3. А.А. Лебедев, В.Н. Петров, А.Н. Титков, Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, Г.Н. Мосина, А.Е. Черенков. Письма ЖТФ, 31 (23), 8 (2005)
  4. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Письма ЖТФ, 31 (17), 58 (2005)
  5. Silicon carbide, ed. by H.K. Henisch, R. Roy (Pergamon Press, 1969) p. 371
  6. Ю.В. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.М. Мохов. Sol. St. Phys., 24 (52), 1377 (1982)
  7. N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strelchuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.P. Chante, M.L. Locatelli, D. Planson, J. Nilan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Nestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Batila. Mater. Sci. Eng. B, 77, 50 (2000)
  8. A. Fissel, U. Kaizer, K. Pfennighaus, B. Schroter, W. Richter. Appl. Phys. Lett., 68, 1204 (1996)
  9. S. Nishino, C. Jacob, Y. Okui. J. Cryst. Growth, 237--239, 1250 (2002)
  10. S. Kerdiles, R. Rizk, F. Gourbilleau, A. Perez-Rodriguez, B. Garrido, O. Gonzalez-Varona, J.R. Morante. Mater. Sci. Eng. B, 69, 530 (2000)
  11. Y. Sun, T.J. Miyasato. Appl. Phys., 84, 2602 (1998)
  12. H. Spillman, P.R. Wilmott. Appl. Phys. A, 70, 323 (2000)
  13. F. Liao, S.L. Girshick, W.M. Mook, W.W. Gerberich, M.R. Zachariah. Appl. Phys. Lett., 86, 171 913 (2005)
  14. V.C. George, A. Das, M. Roy, A.K. Dua, P. Raj, D.R.T. Zahn. Thin Sol. Films, 419, 114 (2002)
  15. T. Pajagopalan, X. Wang, B. Lanthouh, C. Ramkumar. J. Appl. Phys., 94 (3), 5252 (2003)
  16. A. Fissel, B. Schroter, U. Kaiser, W. Richter. Appl. Phys. Lett., 77, 2418 (2000)
  17. A.V. Semenov, V.M. Puzikov, M.V. Dobrotvorskaya, A.G. Fedorov, A.V. Lopin. Thin Sol. Films, 516, 2899 (2008)
  18. А.В. Семенов, В.М. Пузиков, Е.П. Голубова, В.Н. Баумер, М.В. Добротворская. ФТП, 43 (5), 714 (2009)
  19. A.V. Semenov, A.V. Lopin, V.M. Puzikov. Surface, X-Ray, Synchrotron and Neutron Res., N 9, 99 (2004)
  20. А.В. Семенов, С.Н. Скорик, А.В. Лопин, В.М. Пузиков, В.Н. Баумер, П.В. Матейченко. Тез. докл. 13-й Нац. конф. по росту кристаллов, Москва, 17--22 ноября 2008, с. 450; Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 2, 7 (2010)
  21. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  22. D. Bimberg, M. Altarelli, N.O. Lipari. Sol. St. Commun., 40, 437 (1981)
  23. G.B. Dubrovskii, A.L. Lepneva, E.I. Radovanova. Phys. Status Solidi B, 57 (1), 423 (1973)
  24. D.R. Hamilton, L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev., 138 (5a), A1472 (1965)
  25. Yu. Goldberg, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. In: Properties of Advanced Semiconductors Materials GaN, AlN, SiC, BN, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Runyantsev, M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001) p. 93.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.