Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками

Цацульников А.Ф.^1,2, Лундин В.В.^1,2, Сахаров А.В.^1,2, Заварин Е.Е.^1,2, Усов С.О.^1,2, Николаев А.Е.^1,2, Крыжановская Н.В.^2,3, Синицын М.А.^2,3, Сизов В.С.^1,2, Закгейм А.Л.², Мизеров М.Н.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 17 ноября 2009 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Описан новый подход к созданию эффективных монолитных источников белого света, основанный на использовании в активной области светодиодных структур короткопериодной InGaN/GaN-сверхрешетки в качестве барьерного слоя между квантовыми ямами InGaN, излучающими в синей и желто-зеленой областях спектра. Исследованы оптические свойства таких структур и показано, что использование такой сверхрешетки позволяет реализовать эффективное излучение из активной области.

C.F. Huang, C.F. Lu, T.Y. Tang, J.J. Huang, C.C. Yang. Appl. Phys. Lett., 90, 151 122 (2007)
Y.L. Li, T. Gessmann, E.F. Schubert, J.K. Sheu. J. Appl. Phys., 94, 2167 (2003)
S.C. Shei, J.K. Sheu, C.M. Tsai, W.C. Lai, M.L. Lee, C.H. Kuo. Jpn. J. Appl. Phys., 45, pt 1, 2463 (2006)
J.W. Shi, H.Y. Huang, C.K. Wang, J.K. Sheu, W.C. Lai, Y.S. Wu, C.H. Chen, J.T. Chu, H.C. Kuo, W.P. Lin, T.H. Yang, J.I. Chyi. IEEE Phot. Techn. Lett., 18, 2593 (2006)
H.S. Park, J.Y. Kim, M.K. Kwon, C.Y. Cho, J.H. Lim, S.J. Park. Appl. Phys. Lett., 92, 091 110 (2008)
А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, H.S. Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44 (1), 96 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель