"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO
Мездрогина М.М.1, Даниловский Э.Ю.1, Кузьмин Р.В.1, Полетаев Н.К.1, Трапезникова И.Н.1, Чукичев М.В.2, Бордовский Г.А.3, Марченко А.В.3, Еременко М.В.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

На основании результатов комплексных исследований (спектров фотолюминесценции, рентгеновской флуоресценции и инфракрасной спектроскопии) показаны особенности формирования спектров излучения при изменении типа и концентрации фоновых примесей (Fe, Cu, Si), появляющихся как при выращивании, так и при обработке объемных кристаллов шлифованием и полировкой. Особое внимание уделено концентрации и типам связей водорода - основной примеси, препятствующей формированию кристаллов с p-типом проводимости.
  1. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures Processing, Properties and Applications, ed. by C. Jagadish, S. Pearton (Els. Bier, 2006) p. 589
  2. D.S. Look. J. Electron. Mater., 35, 1299 (2006)
  3. Z.L. Wang. Appl. Phys. A. Materials Science and Processing. 2007. DOI: 10.1007/s00339-007-3942-8
  4. P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 17, 3786 (2006)
  5. Y.J. Li, Y.W. Kwon, M. Jones et al. Semicond. Sci. Technol., 20, 720 (2006)
  6. D.S. Look, B. Claflin. Phys. Status Solidi B, 241, 624 (2005)
  7. U. Ozgur, Ya.I. Aliviv, C. Liu. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  8. S.E. Derenzo, M.J. Weber, M.K. Klintenberg. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 486, 214 (2002)
  9. P.J. Simpson, R. Tojssem, A.W. Hunt et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 505, 82 (2003)
  10. X. Gu, M.A. Reshchikov, A.I. Teke. Appl. Phys. Lett., 84, 2268 (2004)
  11. M. Zamfirescu, A. Kavokin, B. Gil et al. Phys. Rev. B, 65, 161 205 (2002)
  12. И.Н. Завестовская. Тез. докл. симп. "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (СПб., 5--7 ноября, 2008) р. 37
  13. Г.П. Яблонский, Е.В. Луценко, H. Kalisch, R.H. Janson, M. Houken. Тез. докл., симп. "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (СПб., 5--7 ноября, 2008) р. 27
  14. L.N. Dem'yanets, V.I. Lyutin. J. Cryst. Growth, 310, 993 (2006)
  15. G. Brauer, W. Anwand et al. Phys. Rev. B, 79, 115 212 (2009)
  16. Рост кристаллов, под ред. К. Гудмана (М., Мир, 1977)
  17. М.М. Мездрогина, О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 22 (4), 262 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.