"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция в области длин волн 1.5-1.6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов
Шкляев А.А.1,2, Латышев А.В.1,2, Ичикава М.3
1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bynkyo-ku, Tokyo 11, Japan
Поступила в редакцию: 25 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Исследована фотолюминесценция слоев наноструктурированного кремния, который излучает в диапазоне длин волн 1.5-1.6 мкм в результате оптических переходов на глубокие уровни центров рекомбинации, созданные кристаллическими дефектами. Показано, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности накачки хорошо описывается моделью с глубокими уровнями одного типа. Обнаружен сдвиг пика фотолюминесценции в область коротких волн при увеличении плотности мощности накачки. Сдвиг свидетельствует об изменениях степени заполнения глубоких уровней, которые происходят в условиях переноса носителей между центрами рекомбинации.
  1. L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1169 (2003)
  2. P.T. Landsberg. Sol. St. Electron., 10, 513 (1967)
  3. А.В. Яхневич. ФТТ, 7, 259 (1965)
  4. R.J. Spry, W.D. Compton. Phys. Rev., 175, 1010 (1968)
  5. S.G. Cloutier, P.A. Kossyrev, J. Xu. Nature Materials, 4, 887 (2005)
  6. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  7. Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачёв. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
  8. V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
  9. M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, X. Yu. Phys. Status Solidi A, 203, 802 (2006)
  10. A.A. Shklyaev, S. Nobuki, S. Uchida, Y. Nakamura, M. Ichikawa. Appl. Phys. Lett., 88, 121 919 (2006)
  11. A.A. Shklyaev, S.P. Cho, Y. Nakamura, N. Tanaka, M. Ichikawa. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 136 004 (2007)
  12. A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B, 62, 1540 (2000)
  13. А.А. Шкляев, М. Ичикава. УФН, 178, 139 (2008)
  14. A.A. Shklyaev, M. Ichikawa. Phys. Rev. B, 65, 045 307 (2002)
  15. Н.В. Сибирев, В.Г. Талалаев, А.А. Тонких, Г.Э. Цыплин, В.Г. Дубровский, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП, 40, 230 (2006)
  16. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Н.Д. Захаров. ФТП, 42, 311 (2008)
  17. A.A. Shklyaev, Y. Nakamura, M. Ichikawa. J. Appl. Phys., 101, 033 532 (2007)
  18. A.T. Blumenau, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon, T. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 87, 187 404 (2001)
  19. W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
  20. R.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
  21. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ РАН, 1997)
  22. M. Fukuda. Optical semiconductor devices (N.Y., John Wiley \& Sons, 1999)
  23. A.A. Shklyaev, Y. Nakamura, F.N. Dultsev, M. Ichikawa. J. Appl. Phys., 105, 063 513 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.