"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS(O) с позиций теории непересекающихся зон
Морозова Н.К.1, Данилевич Н.Д.1
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

На основе теории непересекающихся зон, позволяющей учесть влияние изоэлектронной примеси кислорода на изменение зонной структуры, дана интерпретация природы спектров самоактивированной люминесценции CdS(O). Выявлены полосы самоактивированной SA и SAL люминесценции CdS(O), аналогичные ZnS-ZnSe(O). В присутствии растворенного кислорода OS обнаружено наличие в составе SA-полос дополнительно двух компонент H и L, которые обязаны переходам из E+- и E--подзон расщепленной зоны проводимости CdS(O) на уровень рекомбинации ESA. Определена их спектральная зависимость от концентрации растворенного кислорода [OS]. Показано, что зеленое краевое свечение CdS аналогично SAL, однако в отличие от ZnS-ZnSe(O) не обнаруживает H-компоненту, попадающую в область фундаментального поглощения кристалла. Анализ состава SA- и SAL-центров в кристаллах CdS показал их соответствие ZnS(ZnSe). По экспериментальным данным представлены: положение локализованного уровня кислорода E0, уменьшение ширины запрещенной зоны Eg от [OS], зонная модель CdS(O). Работа дополняет аналогичные исследования, выполненные ранее для ZnS-ZnSe(O).
  1. K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, J.W. Beeman, M.A. Scarpulla, O.D. Dubon, P. Becla. Phys. Rev. Lett., 91 (24), 246 403 (2003)
  2. W. Sahn, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
  3. J. Wu, W. Walukiewicz, E.E. Haller. Phys. Rev. B, 65, 233 210 (2002)
  4. Д.А. Мидерос. Автореф, канд. дис. (М., МЭИ, 2008)
  5. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Н.Д. Данилевич. ФТП, 39 (5), 513 (2005)
  6. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
  7. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, В.Г. Галстян, Е.М. Гаврищук. ФТП, 42 (9), 1039 (2008)
  8. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич. ФТП, 43 (2), 174 (2009)
  9. Н.К. Морозова, В.Г. Галстян, Н.Д. Данилевич, В.М. Семенов. Изв. вузов. Электроника, N 1 (75), 3 (2009)
  10. Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич, В.М. Семенов. Матер. докл. 39 межд. научн.-техн. сем. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2009) с. 132.
  11. Н.К. Морозова, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян, В.Г. Плотниченко, И.А. Каретников, В.С. Зимогорский. Неорг. матер., 37 (12), 1439 (2001)
  12. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук. Неорг. матер., 35 (8), 917 (1999)
  13. Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  14. В.А. Теплицкий. Автореф. канд. дис. (М., МИЭТ, 1989)
  15. Н.К. Морозова, А.В. Морозов, Л.Д. Назарова, Н.Д. Данилевич, И.А. Каретников. ФТП, 28 (10), 1699 (1994)
  16. А.В. Морозов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1993)
  17. В.С. Зимогорский, Н.А. Яштулов, В.В. Блинов. Матер. докл. 30 межд. науч.-техн. сем. " Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2000)
  18. Н.К. Морозова, А.В. Морозов, В.С. Зимогорский. Неорг. матер., 29 (7), 1014 (1993)
  19. Д.А. Мидерос, Нгуен Чан Ха, Н.К. Морозова. Матер. докл. 38 межд. науч.-техн. сем. " Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ. 2008) с. 138
  20. Jingo Li, Su-Huai Wei. Phys. Rev. B, 73, 041 201 (2006)
  21. М.Ю. Ребров, В.Т. Бублик, Т.А. Теплицкий, Е.В. Марков. Докл. АН СССР. Физика. 307 (3), 597 (1989)
  22. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос. Изв. вузов. Электроника, N 3, 3 (2008)
  23. K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev., B, 39 (5), 3138 (1989)
  24. И.В. Островский. Физика. Соросовский образовательный журнал, N 1, 95 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.