Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS(O) с позиций теории непересекающихся зон
Морозова Н.К.1, Данилевич Н.Д.1
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
На основе теории непересекающихся зон, позволяющей учесть влияние изоэлектронной примеси кислорода на изменение зонной структуры, дана интерпретация природы спектров самоактивированной люминесценции CdS(O). Выявлены полосы самоактивированной SA и SAL люминесценции CdS(O), аналогичные ZnS-ZnSe(O). В присутствии растворенного кислорода OS обнаружено наличие в составе SA-полос дополнительно двух компонент H и L, которые обязаны переходам из E+- и E--подзон расщепленной зоны проводимости CdS(O) на уровень рекомбинации ESA. Определена их спектральная зависимость от концентрации растворенного кислорода [OS]. Показано, что зеленое краевое свечение CdS аналогично SAL, однако в отличие от ZnS-ZnSe(O) не обнаруживает H-компоненту, попадающую в область фундаментального поглощения кристалла. Анализ состава SA- и SAL-центров в кристаллах CdS показал их соответствие ZnS(ZnSe). По экспериментальным данным представлены: положение локализованного уровня кислорода E0, уменьшение ширины запрещенной зоны Eg от [OS], зонная модель CdS(O). Работа дополняет аналогичные исследования, выполненные ранее для ZnS-ZnSe(O).
- K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, J.W. Beeman, M.A. Scarpulla, O.D. Dubon, P. Becla. Phys. Rev. Lett., 91 (24), 246 403 (2003)
- W. Sahn, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
- J. Wu, W. Walukiewicz, E.E. Haller. Phys. Rev. B, 65, 233 210 (2002)
- Д.А. Мидерос. Автореф, канд. дис. (М., МЭИ, 2008)
- Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Н.Д. Данилевич. ФТП, 39 (5), 513 (2005)
- Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
- Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, В.Г. Галстян, Е.М. Гаврищук. ФТП, 42 (9), 1039 (2008)
- Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич. ФТП, 43 (2), 174 (2009)
- Н.К. Морозова, В.Г. Галстян, Н.Д. Данилевич, В.М. Семенов. Изв. вузов. Электроника, N 1 (75), 3 (2009)
- Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич, В.М. Семенов. Матер. докл. 39 межд. научн.-техн. сем. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2009) с. 132.
- Н.К. Морозова, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян, В.Г. Плотниченко, И.А. Каретников, В.С. Зимогорский. Неорг. матер., 37 (12), 1439 (2001)
- Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук. Неорг. матер., 35 (8), 917 (1999)
- Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
- В.А. Теплицкий. Автореф. канд. дис. (М., МИЭТ, 1989)
- Н.К. Морозова, А.В. Морозов, Л.Д. Назарова, Н.Д. Данилевич, И.А. Каретников. ФТП, 28 (10), 1699 (1994)
- А.В. Морозов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1993)
- В.С. Зимогорский, Н.А. Яштулов, В.В. Блинов. Матер. докл. 30 межд. науч.-техн. сем. " Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2000)
- Н.К. Морозова, А.В. Морозов, В.С. Зимогорский. Неорг. матер., 29 (7), 1014 (1993)
- Д.А. Мидерос, Нгуен Чан Ха, Н.К. Морозова. Матер. докл. 38 межд. науч.-техн. сем. " Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ. 2008) с. 138
- Jingo Li, Su-Huai Wei. Phys. Rev. B, 73, 041 201 (2006)
- М.Ю. Ребров, В.Т. Бублик, Т.А. Теплицкий, Е.В. Марков. Докл. АН СССР. Физика. 307 (3), 597 (1989)
- Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос. Изв. вузов. Электроника, N 3, 3 (2008)
- K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev., B, 39 (5), 3138 (1989)
- И.В. Островский. Физика. Соросовский образовательный журнал, N 1, 95 (1998).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук