"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами
Качурин Г.А.1, Черкова С.Г.1, Скуратов В.А.2, Марин Д.В.1, Черков А.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 6 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Слои SiO2 с избыточным имплантированным Si облучали ионами Xe, 130 МэВ дозами 3·1012-1014 см-2. После 3·1012 см-2 электронная микроскопия выявила ~1012 см-2 выделений размерами 3-4 нм. С ростом дозы их размеры и число возрастали. В спектрах фотолюминесценции обнаружена полоса 660-680 нм, интенсивность которой зависела от дозы. После пассивации водородом при 500oC полоса исчезала, но появлялась новая вблизи 780 нм, характерная для нанокристаллов Si. На основании совокупности всех данных сделан вывод, что полоса 660-680 нм обусловлена несовершенными кремниевыми нанокристаллами, растущими в треках ионов Xe благодаря высоким ионизационным потерям. Немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы объясняется различием между диаметрами треков и каскадов смещений, ответственных за дефектообразование.
  1. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 112, 571 (1997)
  2. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, R.A. Yankov, M. Deutschmann. Nanotechnology, 19, 355 305 (2008)
  3. M. Toulemonde, Ch. Dufour, A. Meftah, E. Paumier. Nucl. Instrum. Meth. B, 166--167, 903 (2000)
  4. H. Hosono, K. Kawamura, Y. Kameshima, H. Kawazoe, N. Matsunami, K. Muta. J. Appl. Phys., 82, 4232 (1997)
  5. R.L. Fleischer, P.B. Price, R.M. Walker. J. Appl. Phys., 36, 3645 (1965); A. Benyagoub. Nucl. Instrum. Meth. B, 245, 225 (2006)
  6. D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instrum. Meth. B, 259 (1996)
  7. P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. J. Appl. Phys., 93 (6), 3486 (2003)
  8. P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instrum Meth. B, 239, 185 (2005)
  9. W.M. Arnoldbik, N. Tomozeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2005)
  10. B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91 (2), 798 (2002)
  11. M. Lopez, B. Garrido, C. Bonafos, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, A. Claverie. Nucl. Instrum. Meth. B, 178, 89 (2001)
  12. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Buault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34, 1004 (2000)
  13. S. Cheylan, N. Langford, R.G. Elliman. Nucl. Instrum. Meth. B, 166--167, 851 (2000)
  14. D. Pacifici, E.C. Moreira, G. Franzo, V. Martorino, F. Priolo. Phys. Rev. B, 65, 144 109 (2002)
  15. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  16. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
  17. S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
  18. Y. Batra, T. Mohanty, D. Kanjilal. Nucl. Instrum. Meth. B, 266, 3107 (2008)
  19. Y.-J. Jung, J.-H. Yoon, R.G. Elliman, A.R. Wilkinson. J. Appl. Phys., 104, 083 518 (2008)
  20. I. Kaiser, N.H. Nickel, W. Fuhs, W. Pilz. Phys. Rev. B, 58, R1718 (1998)
  21. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, А.К. Кутаковский, А.Г. Черков, В.А. Володин. ФТП, 42, 1145 (2008).
  22. M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. J. Luminesc., 70, 170 (1996)
  23. J.F. Gibbons. Proc. IEEE, 60, 1062 (1972).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.