"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe
Дроздов Ю.Н.1, Новиков А.В.1, Шалеев М.В.1, Юрасов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Представлены результаты исследований особенностей перехода пленки Ge от двумерного к трехмерному росту в различных типах гетероструктур SiGe/Si(001) с захороненными напряженными слоями. Показано, что осаждение напряженного планарного слоя SiGe приводит к существенному уменьшению критической толщины двумерного роста Ge. Обнаружено, что влияние слоев SiGe на рост пленки Ge оказывается весьма существенным не только в случае роста непосредственно на напряженном слое SiGe, но и при заращивании его ненапряженным слоем Si до толщин порядка 3.5 нм. Показано, что модель, в которой влияние захороненных напряженных слоев SiGe учитывается посредством введения феноменологического параметра "глубины затухания эффективной упругой энергии", позволяет с хорошей точностью описать экспериментальные результаты.
  1. J.A. Floro, E. Chason, R.D. Twesten, R.A. Hwang, L.B. Freund. Phys. Rev. Lett., 79, 3946 (1997)
  2. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
  3. H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 953 (1995)
  4. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
  5. T. Walther, A.G. Cullis, D.J. Norris, M. Hopkinson. Phys. Rev. Lett., 86, 2381 (2001)
  6. Y. Tu, J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 93, 216 101 (2004)
  7. A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, F. Scmitt, P. Hess. Phys. Rev. B, 64, 205 421 (2001)
  8. V.B. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
  9. J. Tersoff, C. Teichert, M.C. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
  10. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov. Microelectronics J., 40 (4), 782 (2009)
  11. M. De Seta, G. Capellini, F. Evagelisti, C. Ferrari L. Lazzarini, G. Salviati, R.W. Peng, S.S. Jiang. J. Appl. Phys., 102, 042 518 (2007)
  12. D.N. Lobanov, A.V. Novikov, N.V. Vostokov, Y.N. Drozdov, A.N. Yablonbskiy, Z.F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Optical Mater., 27, 818 (2005)
  13. Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, В.В. Ульянов, Д.В. Юрасов. Поверхность, РСНИ, 7, 61 (2009)
  14. Д.В. Юрасов, Ю.Н. Дроздов. ФТП, 42, 5 (2008)
  15. X. Chen, F. Wu, Z. Zhang, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 73, 850 (1994)
  16. Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.C. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.