Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физическая модель процесса старения МОП-структуры

Булушева М.А.¹, Попов В.Д.¹, Протопопов Г.А.¹, Скородумова А.В.¹

¹Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия

Поступила в редакцию: 31 августа 2009 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

PDF версия

Представлена физическая модель процесса старения МОП-структуры. По результатам проведенных ускоренных испытаний найден энергетический параметр напряженной МОП-структуры - энергетический уровень напряженных связей.

В.Д. Попов, Н.М. Ройзин. Микроэлектроника, 1 (6), 552 (1973)
J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, P.V. Dressendorfer, D.C. Turpin, D.T. Sanders. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-34, N 6, 1152 (1987)
В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
В.И. Эннс, Ю.М. Кобзев. Проектирование аналоговых КМОП-микросхем. Краткий справочник разработчика (М., Горячая линия--телеком, 2005)
Д.А. Барышников, Г.А. Жукова, В.Н. Мордкович. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 5 (148), 19 (1981)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1967)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
В.А. Болисов, Л.Н. Патрикеев, В.Д. Попов. Микроэлектроника, 12 (5), 477 (1983)
Б.М. Яворский, А.А. Детлаф. Справочник по физике (М., Наука, 1977) с. 269
P.J. McWhorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48 (2), (1), 133 (1986)
М.М. Малышев, В.Д. Попов, В.Н. Сурин, Д.В. Шубин. В сб.: Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру (М., ФГУП ЦНИИатоминформ, 2007) вып. 3--4, 33 (2007)
Л.Н. Патрикеев, Б.И. Подлепецкий, В.Д. Попов. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем (М., МИФИ, 1975)
E.H. Snow, A.S. Grove, D.F. Fitzgerald. Proc. IEEE, 55 (7), 1168 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель