"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Сабитов О.Ю.1, Афанасьев А.М.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 21 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-(люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4-5)·10-12 см2/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0.2-0.25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний - более или порядка (6.7-8.3)·10-21 см2; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, ~2.5·1013 см-2, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7·1014 см-2эВ-1. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0.9-1.35 эВ в зависимости от режима возбуждения.
  1. G.O. Muller, R. Mach, B. Selle, G. Schulz // Phys. Status. Solidi A, 110, 657 (1998)
  2. E. Bringuier. J. Appl. Phys., 66 (3), 1314 (1989)
  3. Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов, О.Ю. Сабитов, А.М. Афанасьев. Письма ЖТФ, 31 (3), 79 (2005)
  4. Н.Т. Гурин, А.М. Афанасьев, О.Ю. Сабитов, Д.В. Рябов. ФТП, 40 (8), 949 (2006)
  5. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.М. Афанасьев. ФТП, 41 (10), 1168 (2007)
  6. K.A. Neyts, P. De Visschere. J. Appl. Phys., 68 (8), 4163 (1990)
  7. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.М. Афанасьев. Письма ЖТФ, 36 (1), 59 (2010)
  8. E. Bringuier. J. Appl. Phys., 75 (9), 4291 (1994)
  9. J.F. Wager, J.C. Hitt, B.A. Baukol, J.P. Bender, D.A. Keszler. J. Luminesc., 97 (1), 68 (2002)
  10. A.N. Krasnov. Thin Sol. Films, 347, 1 (1999)
  11. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
  12. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
  13. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 76 (8), 50 (2006)
  14. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов. ФТП, 42 (8), 692 (2008)
  15. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.В. Шляпин. ЖТФ, 71 (8), 48 (2001)
  16. Н.Т. Гурин. Лазерная техника и оптоэлектроника, N 3--4, 61 (1992)
  17. J.C. Heikenfeld, A.J. Steckl. Information Display (12/03), 20 (2003)
  18. J.C. Heikenfeld, R. Dorey, R. Wharmore, J.P. Bender et al., IEEE Trans Electron Dev., 52 (2), 1994 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.