Вышедшие номера
Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Сабитов О.Ю.1, Афанасьев А.М.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 21 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-(люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4-5)·10-12 см2/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0.2-0.25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний - более или порядка (6.7-8.3)·10-21 см2; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, ~2.5·1013 см-2, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7·1014 см-2эВ-1. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0.9-1.35 эВ в зависимости от режима возбуждения.