Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние кислородной плазмы на свойства пленок оксида тантала

Калыгина В.М.¹, Зарубин А.Н.¹, Новиков В.А.¹, Петрова Ю.С.¹, Скакунов М.С.¹, Толбанов О.П.¹, Тяжев А.В.¹, Яскевич Т.М.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 30 декабря 2009 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние кислородной плазмы на токи утечки, величину диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь тонких слоев (300-400 нм) Ta₂O₅. Предложено использовать обработку пленок оксида тантала в кислородной плазме для управления их электрическими и диэлектрическими характеристиками.

S. Oshio, M. Yamamoto, J. Kuwata, T. Matsuoka. J. Appl. Phys., 71, 3471 (1991)
Т.В. Петлицкая. Докл. БГУИР, 1 (1), 70 (2003)
C.-S. Chang, T.-P. Liu, T.-B. Wu. J. Appl. Phys., 88, 7242 (2000)
H. Kozawaguchi, B. Tsujiyama, K. Murase. Jpn. J. Appl. Phys., 21, 1028 (1928)
Tsai Kou-Chiang, Wu Wen-Fa, Chao Chuen-Guang, Wu Chi-Chang. J. Electrochem. Soc., 154, H512 (2007)
S. Oshio, M. Yamamoto, J. Kuwata, T. Mastsuoka. J. Appl. Phys., 71, 3471 (1991)
М.Д. Машкович. Электрические свойства неорганических диэлектриков в диапазоне СВЧ (М., Сов. радио, 1969)
П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники (СПб., Лань, 2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель