Вышедшие номера
Резонансная брэгговская структура (AlGaAs/GaAs/AlGaAs)60 на основе второго уровня размерного квантования экситонов с тяжелыми дырками в квантовых ямах
Чалдышев В.В.1, Шолохов Д.Е.1, Васильев А.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Проведены исследования спектров фотолюминесценции и оптического отражения от периодической структуры, содержащей 60 квантовых ям GaAs, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами AlGaAs. Особенность структуры состояла в том, что при определенном угле падения света (~23o) брэгговское условие резонансного отражения света выполнялось для энергий фотонов, равных энергии экситонов, образованных электронами с тяжелыми дырками на втором уровне размерного квантования в квантовых ямах. Экспериментально установлено, что в условиях двойного экситон-поляритонного и брэгговского резонанса происходит формирование суперизлучательной оптической моды. Изучены зависимости брэгговского и экситон-поляритонного отражения от угла падения света, поляризации и температуры.