Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца

Артамкин А.И.¹, Добровольский А.А.¹, Винокуров А.А.¹, Зломанов В.П.¹, Гаврилкин С.Ю.², Иваненко О.М.², Мицен К.В.², Рябова Л.И.¹, Хохлов Д.Р.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 20 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe(V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10⁵ см²В^-1с^-1 в образцах с N_V=<0.21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N_V=0.26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe(V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции.

Lead Chalcogenides: Physics and Application, ed. by D. Khokhlov (Taylor\&Francis, N.Y., 2003)
F. Felder, M. Arnold, M. Rahim, C. Ebneter, H. Zogg. Appl. Phys. Lett., 91, 101 102 (2007)
M. Rahim, M. Arnold, F. Felder, K. Behfar, H. Zogg. Appl. Phys. Lett., 91, 151 102 (2007)
D. Khokhlov. Int. J. Mod. Phys. B, 18, 2223 (2004)
Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
А.А. Винокуров, С.Г. Дорофеев, О.И. Тананаева, А.И. Артамкин, Т.А. Кузнецова, В.П. Зломанов. Неорг. матер., 42, 1445 (2006)
A.A. Dobrovolsky, A.I. Artamkin, P. Dziawa, T. Story, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 23, 055 004 (2008)
Д.Е. Долженко, В.Н. Демин, И.И. Иванчик, Д.Р. Хохлов. ФТП, 34, 1194 (2000)
E.P. Skipetrov, N.A. Chernova, L.A. Skipetrova, E.I. Slyn'ko. Mater. Sci. Eng., B91-92, 412 (2002)
T. Story. Acta Phys. Polonica, 92, 663 (1997)
Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)
T. Ohtani. R. Hayashi, M. Nakahirano. Sol. St. Commun., 40, 629 (1981)
B.A. Akimov, N.A. Lvova, L.I. Ryabova. Phys. Rev. B, 58, 10 430 (1998)
E. Grodzicka, W. Dobrovolski, J. Kossut, T. Story, B. Witkowska. J. Cryst. Growth, 138, 1034 (1994)
J. Kossut, W. Dobrowolski, Z. Wilamowski, T. Dietl, K. Swiatek. Semicond. Sci. Technol., 5, S26C4265 (1990)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель