"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди
Панин А.В.1, Шугуров А.Р.1, Ивонин И.В.2, Шестериков Е.В.3
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка-(барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu3Si.
  1. B. Li, T.D. Sullivan, T.C. Lee, D. Badami. Microelectron. Reliab., 44 (3), 365 (2004)
  2. Y.K. Ko, J.H. Jang, S. Lee, H.J. Yang, W.H. Lee, P.J. Reucroft, J.G. Lee. J. Mater. Sci., 38, 217 (2003)
  3. J.P. Chu, C.H. Lin, Y.Y. Hsieh. J. Electron. Mater., 35 (1), 76 (2006)
  4. S. Tsukimoto, T. Kabe, K. Ito, M. Murakami. J. Electron. Mater., 36 (3), 258 (2007)
  5. Y. Ezer, J. Harkonen, S. Arpiainen, V. Sokolov, P. Kuivalainen, J. Saarilahti, J. Kaitila. Physica Scripta, T79, 228 (1999)
  6. S.Y. Jang, S.M. Lee, H.K. Baik. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 7, 271 (1996)
  7. J.S. Fang, T.P. Hsu, G.S. Chen. J. Electron. Mater., 35 (1), 15 (2006)
  8. Y. Shacham-Diamand. J. Electron. Mater., 30 (4), 336 (2001)
  9. Тонкие пленки --- взаимная диффузия и реакции, под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: Thin Films --- Interdiffusion and Reactions, ed. by J.M. Poate, K.N. Tu, J.W. Mayer (N. Y., John Wiley and Sons, 1978)]
  10. L.B. Freund, S. Suresh. Thin Film Materials: Stress, Defect Formation and Surface Evolution (Cambridge, Cambridge Universiry Press, 2003)
  11. X.-Y. Gong, D.R. Clarke. Oxid. Met., 50 (5-6), 355 (1998)
  12. M.Y. He, A.G. Evans, J.W. Hutchinson. Acta Mater., 48, 2593 (2000)
  13. J.O. Olowolafe, J. Li, J.W. Mayer. J. Appl. Phys., 68 (12), 6207 (1990)
  14. W. Schroter, V. Kevder, M. Seibt, H. Ewe, H. Hedemann, F. Riedel, A. Sattler. Mater. Sci. Eng., B72, 80 (2000)
  15. J.H. Zhao, M. Zhang, R.P. Liu, X.Y. Zhang, L.M. Cao, D.Y. Dai, H. Chen, Y.F. Xu. J. Mater. Res., 14 (7), 2888 (1990)
  16. S. Hong, S. Lee, Y. Ko, J. Lee. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 766, 119 (2003)
  17. D. Vale, G. Weber, B. Gillot. Oxid. Met., 35 (5-6), 415 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.