"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Синицын М.А.1,2, Сахаров А.В.1,2, Усов С.О.1,2, Николаев А.Е.1,2, Давыдов Д.В.1,2, Черкашин Н.А.3, Цацульников А.Ф.1,2
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration
Поступила в редакцию: 8 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Исследовано влияние давления в реакторе при росте активных областей InGaN/GaN светодиодов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на их электролюминесцентные и структурные свойства. Показано, что при увеличении давления происходит трансформация слоев InGaN от сплошных в латеральном направлении к слоям изолированных InGaN-островков. Данная трансформация влияет как на эффективность излучения, так и на зависимость эффективности от тока.
  1. H. Tokunaga, A. Ubukata, Y. Yano, A. Yamaguchi, N. Akutsu, T. Yamasaki, K. Matsumoto. J. Gryst. Growth, 272 (1-4), 348 (2004)
  2. Sadahiro Kato, Yoshihiro Satoh, Hitoshi Sasaki, Iwami Masayuki, Seikoh Yoshida. J. Cryst. Growth, 298, 831 (2007)
  3. A. Strittmatter, L. Reissmann, R. Seguin, S. Rodt, A. Brostowski, U.W. Pohl, D. Bimberg, E. Hahn, D. Gerthsen. J. Gryst. Growth, 272 (1-4), 415 (2004)
  4. T. Chung, J.-B. Limb, U. Chowdhury, P. Li, J.-H. Ryou, D. Yoo, D. Zakharov, Z. Liliental-Weber, R.D. Dupuis. Phys. Status Solidi C, 2 (7), 2157 (2005)
  5. A.V. Kondratyev, R.A. Talalaev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, A.V. Fomin, D.S. Sizov. J. Gryst. Growth, 272, 420 (2004)
  6. K. Yanashima, S. Hashimoto, T. Hino, K. Funato, T. Kobayashi, K. Naganuma, T. Tojyo, T. Asano, T. Asatsuma, T. Miyajima, M. Ikeda. J. Electron. Mater., 28 (3), 287 (1999)
  7. R.A. Talalaev, E.V. Yakovlev, S.Yu. Karpov, I.Yu. Estratov, A.N. Vorobev, Yu.N. Makarov. Phys. Status Solidi A, 176, 253 (1999)
  8. Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, А.Ф. Цацульников. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы (31 января-2 февраля 2007 года, Москва) с. 156
  9. С.А. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.А. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
  10. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44 (01), 6023 (2010)
  11. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Proc. IWN2000 (Nagoya, Sept. 24-27, 2000)
  12. W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Lobanova, A.S. Segal. 13th Europ. Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, June 7-10, 2009). Extended anstracts
  13. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2099 (2002)
  14. R.W. Martin, P.G. Middleton, K.P. O'Donnell, W. Van Der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74 (2), 263 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.