Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 13 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
С помощью моделирования методом Монте-Карло проведено исследование роста кремниевых нановискеров на поверхности Si(111), активированной золотом. Получены зависимости скорости роста вискеров от температуры, скорости осаждения и диаметра капли катализатора, исследована морфология растущего нитевидного кристалла. В модельной системе наряду с ростом нановискеров найден ряд эффектов, наблюдаемых экспериментально: уход капли с вершины кристалла, фасетирование его боковой поверхности, ветвление. Найдено, что при определенных условиях смачивания материала вискера веществом катализатора возможно формирование полых нановискеров.
- J. Goldberger, A.I. Hochbaum, R. Fan, P. Yang. Nano Lett., 6 (5), 973 (2006)
- P.J. Pauzauskie, P. Yang. Materials Today, 9 (10), 36 (2006)
- C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L.F. Feiner, A. Forchet, M. Scheffler, W. Riess, B.J. Ohlsson, U. Gosele, L. Samuelson. Materials Today, 9 (10), 28 (2006)
- Y.C. Cui, Q. Wei, H. Park, C.M. Lieber. Science, 293, 1289 (2001)
- Е.И. Гиваргизов. Кристаллография, 51 (5), 947 (2006)
- J.-G. Fan, D. Dyer, G. Zhang, Y.-P. Zhao. Nano Lett., 4 (11), 2133 (2004)
- T.I. Kamins, R.S. Williams, D.P. Basile, T. Hesjedal, J.S. Harris. J. Appl. Phys., 89 (2), 1008 (2001)
- S.Q. Feng, D.P. Yu, H.Z. Zhang, Z.G. Bai, Y. Ding. J. Cryst. Growth, 209, 513 (2000)
- Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
- L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84 (24), 4968 (2004)
- V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
- K.A. Dick, K. Deppert, T. Martensson, B. Mandl, L. Samuelson, W. Seifert. Nano Lett., 5 (4), 761 (2005)
- Y.F. Zhang, Y.H. Tang, N. Wang, C.S. Lee, I. Bello, S.T. Lee. J. Cryst. Growth, 197, 136 (1999)
- N. Zakharov, P. Werner, L. Sokolov, U. Gosele. Physica E, 37 (1--2), 148 (2007)
- S. Kodambaka, J. Tersoff, M.C. Reuter, F.M. Ross. Phys. Rev. Lett., 96, 096 105 (2006)
- R. Dujardin, V. Poydenot, T. Devillers, V. Favre-Nicolin, P. Gentile, A. Barski. Appl. Phys. Lett., 89, 153 129 (2006)
- И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, А.В. Веретеха, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов. ФТТ, 48 (4), 737 (2006)
- V. Shmidt, S. Senz, U. Gosele. Nano Lett., 5 (5), 931 (2005)
- T. Vo, A.J. Williamson, G. Galli. Rev. B, 74, 045 116 (2006)
- J. Westwater, D.P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (3), 554 (1997)
- J. Kikkawa, Y. Ohno, S. Takeda. Appl. Phys. Lett., 86, 123 109 (2005)
- H. Jagannathan, M. Deal, Y. Nishi, J. Woodruff, C. Chidsey, P.C. McIntyre. J. Appl. Phys., 100, 024 318 (2006)
- Ю.В. Найдич, В.М. Перевертайло, Л.П. Обущак. Физическая химия конденсированных фаз, сверхтвердых материалов и их границ раздела (Киев, Наук. думка, 1975) с. 3
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Phys. Rev. E, 73, 021 603 (2006)
- I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskay, A.V. Zverev. Comput. Phys. Commun., 147, 272 (2002)
- А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография (М., Наука, 1980) т. 3, гл. 1, с. 54
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
