"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло
Настовьяк А.Г.1, Неизвестный И.Г.1, Шварц Н.Л.1, Яновицкая З.Ш.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

С помощью моделирования методом Монте-Карло проведено исследование роста кремниевых нановискеров на поверхности Si(111), активированной золотом. Получены зависимости скорости роста вискеров от температуры, скорости осаждения и диаметра капли катализатора, исследована морфология растущего нитевидного кристалла. В модельной системе наряду с ростом нановискеров найден ряд эффектов, наблюдаемых экспериментально: уход капли с вершины кристалла, фасетирование его боковой поверхности, ветвление. Найдено, что при определенных условиях смачивания материала вискера веществом катализатора возможно формирование полых нановискеров.
  1. J. Goldberger, A.I. Hochbaum, R. Fan, P. Yang. Nano Lett., 6 (5), 973 (2006)
  2. P.J. Pauzauskie, P. Yang. Materials Today, 9 (10), 36 (2006)
  3. C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L.F. Feiner, A. Forchet, M. Scheffler, W. Riess, B.J. Ohlsson, U. Gosele, L. Samuelson. Materials Today, 9 (10), 28 (2006)
  4. Y.C. Cui, Q. Wei, H. Park, C.M. Lieber. Science, 293, 1289 (2001)
  5. Е.И. Гиваргизов. Кристаллография, 51 (5), 947 (2006)
  6. J.-G. Fan, D. Dyer, G. Zhang, Y.-P. Zhao. Nano Lett., 4 (11), 2133 (2004)
  7. T.I. Kamins, R.S. Williams, D.P. Basile, T. Hesjedal, J.S. Harris. J. Appl. Phys., 89 (2), 1008 (2001)
  8. S.Q. Feng, D.P. Yu, H.Z. Zhang, Z.G. Bai, Y. Ding. J. Cryst. Growth, 209, 513 (2000)
  9. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
  10. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84 (24), 4968 (2004)
  11. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  12. K.A. Dick, K. Deppert, T. Martensson, B. Mandl, L. Samuelson, W. Seifert. Nano Lett., 5 (4), 761 (2005)
  13. Y.F. Zhang, Y.H. Tang, N. Wang, C.S. Lee, I. Bello, S.T. Lee. J. Cryst. Growth, 197, 136 (1999)
  14. N. Zakharov, P. Werner, L. Sokolov, U. Gosele. Physica E, 37 (1--2), 148 (2007)
  15. S. Kodambaka, J. Tersoff, M.C. Reuter, F.M. Ross. Phys. Rev. Lett., 96, 096 105 (2006)
  16. R. Dujardin, V. Poydenot, T. Devillers, V. Favre-Nicolin, P. Gentile, A. Barski. Appl. Phys. Lett., 89, 153 129 (2006)
  17. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, А.В. Веретеха, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов. ФТТ, 48 (4), 737 (2006)
  18. V. Shmidt, S. Senz, U. Gosele. Nano Lett., 5 (5), 931 (2005)
  19. T. Vo, A.J. Williamson, G. Galli. Rev. B, 74, 045 116 (2006)
  20. J. Westwater, D.P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (3), 554 (1997)
  21. J. Kikkawa, Y. Ohno, S. Takeda. Appl. Phys. Lett., 86, 123 109 (2005)
  22. H. Jagannathan, M. Deal, Y. Nishi, J. Woodruff, C. Chidsey, P.C. McIntyre. J. Appl. Phys., 100, 024 318 (2006)
  23. Ю.В. Найдич, В.М. Перевертайло, Л.П. Обущак. Физическая химия конденсированных фаз, сверхтвердых материалов и их границ раздела (Киев, Наук. думка, 1975) с. 3
  24. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Phys. Rev. E, 73, 021 603 (2006)
  25. I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskay, A.V. Zverev. Comput. Phys. Commun., 147, 272 (2002)
  26. А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография (М., Наука, 1980) т. 3, гл. 1, с. 54

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.