"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых gamma-облучению 60Co
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Конакова Р.В.1, Миленин В.В.1, Свешников Ю.Н.3, Шеремет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Рассмотрено влияние ионизирующего излучения gamma-квантами 60Co в диапазоне доз 104-2·109 рад на контакты металл--полупроводник Au-ZrBx-AlGaN/GaN и Au-TiBx-Al-Ti-n-GaN, а также диодов Шоттки Au-ZrBx-n-GaN. Контакты с диффузионными барьерами TiBx и ZrBx при воздействии ионизирующей радиации не деградируют до доз =<sssim108 рад. Диоды Шоттки Au-ZrBx-n-GaN остаются стабильными в диапазоне доз 104-106 рад. С увеличением дозы облучения >~=108 рад возрастает дефектность контактной металлизации, сопровождающаяся образованием сквозных пор, что способствует скоплению кислорода на границах раздела Au-ZrBx(TiBx) и возрастанию массопереноса атомов контактообразующих слоев. При этом наблюдается радиационная деградация диодов Шоттки. Проанализированы возможные механизмы радиационного повреждения контактных структур с диффузионными барьерами.
  1. I. Shalich, Y. Shapira. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (5), 2477 (2000)
  2. L. Woss, R. Khanna, S.J. Pearton, F. Ren, I.I. Kravchenko. Appl. Surf. Sci., 253, 1255 (2006)
  3. О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, В.А. Пилипенко. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС (Харьков, НТК "Институт монокристаллов", 2008)
  4. М.С. Ковальченко, В.В. Огородников, Ю.Н. Роговой, А.Г. Крайний. Радиационные повреждения тугоплавких соединений (М., Атомиздат, 1979)
  5. Л.С. Палатник, П.Г. Черемской, М.Я. Фукс. Поры в пленках (М., Энергоиздат, 1982)
  6. О.В. Соболь. Оборудование и технологии термической обработки металлов и сплавов (Харьков, ННЦ ХФТИ, ИПЦ "Контраст", 2004) ч. II
  7. Б. Келли. Радиационные повреждения твердых тел (М., Атомиздат, 1970)
  8. M.A. Nickolet. Microelectron. Engin., 55, 357 (2001)
  9. Р.А. Андриевский. Успехи химии, 74 (12), 1163 (2005)
  10. А.П. Шпак, П.Г. Черемской, Ю.А. Куницкий, О.В. Соболь. Кластерные и наноструктурные материалы (Киев, Академпериодика, 2005) т. 3
  11. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  12. А.П. Мамонтов, И.П. Чернов. Эффект малых доз ионизирующего излучения (М., Энергоатомиздат, 2001)
  13. О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова, В.Г. Литовченко, Ю.А. Тхорик, В.И. Шаховцев. Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=- (Киев, ИФ АН УССР, 1986) Препринт N 6
  14. A.E. Belyaev, Yu. Breza, E.F. Venger, M. Vesely, I.Yu. Il'in, R.V. Konakova, J. Liday, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, Yu.A. Tkhorik. Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices (Kiev, "Interpres LTD" 1998) p. 127
  15. Г.Е. Чайка, И.К. Синищук, Ф.К. Шишияну. ФТП, 19 (4), 674 (1985)
  16. Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
  17. В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1978)
  18. И.Н. Францевич, Р.Ф. Войтович, В.А. Лавренко. Высокотемпературное окисление металлов и сплавов (Киев, Изд-во техн. лит. УССР, 1963)
  19. Т.И. Серебрякова, В.А. Неронов, П.Д. Пешев. Высокотемпературные бориды (М., Металлургия, Челяб. отд-ние, 1991)
  20. A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov. SPQEO, 10 (4), 1 (2007)
  21. B. Luo, J.W. Jonson, F. Ren, K.K. Allums, C.R. Abernathy, J. Pearton, A.M. Dabiran, A.M. Wowchak, J. Polley, P.P. Chow, D. Shoenfild, A.G. Baka. Appl. Phys. Lett., 80 (4), 604 (2002)
  22. O. Aktas, A. Kuliev, V. Kumar, R. Shwindt, S. Toshkov, D. Costech, J. Stubbins, I. Adesida. Sol. St. Electron., 48 (3), 471 (2004)
  23. G.A. Umana-Membreno, J.M. Dell, T.P. Hassler, B.D. Nener, G. Parish, L. Faraone, U.K. Mashra. Appl. Phys. Lett., 80 (23), 4354 (2002)
  24. N.M. Shmidt, D.V. Davydov, V.V. Emtsev, I.L. Krestnikov, A.A. Lebedev, W.M. Lundin, D.S. Poloskin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, A.V. Osinsky. Phys. Status Solidi B, 216 (1), 533 (1999)
  25. Z.-Q. Fang, J.W. Hemsky, D.C. Look, M.P. Mack. Appl. Phys. Lett., 72 (4), 448 (1998)
  26. В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1985)
  27. J.W. Hsu, M.J. Manfra, D.V. Lang, S. Richter, S.N.G. Chu, A.M. Sergent, R.N. Kleiman, L.N. Pfeiffer, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 78 (12), 1685 (2001)
  28. J.R. Hayes, D.-W. Kim, H. Meidia, S. Mahajan. Acta Mater., 51 (3), 653 (2003)
  29. R. Khanna, S.J. Pearton, F. Ren, I. Kravchenko, C.J. Kao, G.C. Chi. Appl. Phys. Lett., 87, 052 110 (2005)
  30. S.A. Vitusevich, N. Klein, A.E. Belyaev, S.V. Danylyk, M.V. Petrychuk, R.V. Konakova, A.M. Kurakin, A.E. Rengevich, A.Yu. Avksentiev, B.A. Danylchenko, V. Tilak, J. Smart, A. Vertiatchikh, L.F. Eastman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 719, 133 (2002)
  31. S.A. Vitusevich, N. Klein, A.E. Belyaev, S.V. Danylyk, M.V. Petrychuk, R.V. Konakova, A.M. Kurakin, A.E. Rengevich, A.Yu. Avksentiev, B.A. Danylchenko, V. Tilak, J. Smart, A. Vertiatchikh, L.F. Eastman. Phys. Status Solidi A, 195 (1), 101 (2003)
  32. S.A. Vitusevich, N. Klein, A.E. Belyaev, S.V. Danylyk, M.V. Petrychuk, R.V. Konakova, A.M. Kurakin, P.M. Lytvyn, A.Yu. Avksentiev, B.A. Danylchenko, V. Tilak, J. Smart, A. Vertiatchikh, L.F. Eastman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 764, 183 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.