Вышедшие номера
Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур на основе CdxHg1-xTe
Андронов А.А.1, Ноздрин Ю.Н.1, Окомельков А.В.1, Варавин В.С.2, Михайлов Н.Н.2, Сидоров Г.Ю.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 4 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Обсуждаются основные требования к оптимизации структур на основе КРТ (CdxHg1-xTe) для увеличения длины волны стимулированного излучения из них при оптической накачке. Экспериментально продемонстрировано возникновение стимулированного излучения в диапазоне 2-2.5 мкм при комнатной температуре на оптимизированных КРТ-структурах, выращенных на GaAs-подложках с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из КРТ-структур. Измеренные при этом значения коэффициента усиления в активной среде являются весьма большими и доходят до значений 50 см-1, что позволяет надеяться на возможность дальнейшего продвижения в длинноволновую область.