"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Поссе Е.А.1, Солдатенков Ф.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Изучалось протекание тока в омическом контакте In-n-4H-SiC (n~3·1017 см-3) на основании зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры. Установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через барьер ~0.1 эВ. При этом эффективная постоянная Ричардсона оказалась равной ~2·10-2 А/см2·K.
  1. Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (N. Y., John Wiley and Sons, 2001)
  2. Shaweta Khanna, Arti Noor, Man Singh Tyagi, Sonnathi Neeleshwar. Mater. Sci. Forum, 615--617, 427 (2009)
  3. A. Itoh, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 162, 389 (1997)
  4. A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami. IEEE Trans. Electron. Dev. Lett., 16, 280 (1995)
  5. W.R. Harell, J. Zhang, K.F. Poole. J. Electron. Mater., 31, 1090 (2002)
  6. D. Perrone, M. Naretto, S. Ferrero, L. Scaltrito, C.-F. Pirri. Mater. Sci. Forum, 615--617, 647 (2009)
  7. Pavel A. Ivanov, Alexander S. Potapov, Tat'yana P. Samsonova. Mater. Sci. Forum, 615--617, 431 (2009)
  8. C. Koliakoudakis, J. Dontas, S. Karakalos, M. Kayambaki, S. Ladas, G. Konstantinidis, S. Kennou, K. Zekentes. Mater. Sci. Forum, 615--617, 651 (2009)
  9. Irina P. Nikitina, Konstantin V. Vassilevski, A.B. Horsfall, Nicolas G. Wright, Anthony G. O'Neill, S.K. Ray, C. Mark Johnson. Mater. Sci. Forum, 615--617, 577 (2009)
  10. Hyoung Jin Im, B. Kaczer, J.P. Pelz, Jin Ming Chen, W.J. Choyke. Mater. Sci. Forum, 264--268, 813 (1998)
  11. O. Shigiltchoff, T. Kimoto, D. Hoodgood, et al. In: Technical Digest of International Conference on SiC and Related Materials (Tsukuba, Japan, 2001) We-B-23, p. 291C
  12. S.Y. Han, N.K. Kim, E.D. Kim, J.L. Lee. Silicon Carb. Rel. Mater., 2001 --- Mater. Sci. Forum, 389--393, 897 (2002)
  13. S. Liu, K. Reinhardt, C. Severt, J. Scofield. Silicon Carb. Rel. Mater. 1995 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 589 (1996)
  14. Weijie Lu, W.C. Mitchel, G.R. Landis, T.R. Crenshaw, W. Eugene Collins. Sol. St. Electron., 47, 2001 (2003)
  15. Shu-Cheng Chang, Shiu-Jinn Wang, Kai-Ming Uang, Bor-Wen Liou. Sol. St. Electron., 49, 1937 (2005)
  16. Ryohei Konishi, Ryuichi Yasukochi, Osamu Nakatsuka, Yasuo Koide, Miki Moriyama, Masanori Murakami. Mater. Sci. Eng. B, 98, 286 (2003)
  17. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41, 1281 (2007)
  18. R. Kakanokov, L. Kassamakova, I. Kassamakov, K. Zekentes, N. Kuznetsov. Mater. Sci. Eng. B, 80, 374 (2001)
  19. Kazuhiro Ito, Susumu Tsukimoto, Masanori Murakami. Sci. Techn. Adv. Mater., 7, 496 (2006)
  20. A. Scorzoni, F. Moscatelli, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Silicon Carb. Rel. Mater., 2004 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 881 (2004)
  21. V. Saxena, Jian Nong Su, A.J. Steckl. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 456 (1999)
  22. O. Korolkov, N. Kuznetsova, T. Rang, A. Syrkin, V. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 556--557, 737 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.