Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC

Бланк Т.В.¹, Гольдберг Ю.А.¹, Поссе Е.А.¹, Солдатенков Ф.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 августа 2009 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучалось протекание тока в омическом контакте In-n-4H-SiC (n~3·10¹⁷ см^-3) на основании зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры. Установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через барьер ~0.1 эВ. При этом эффективная постоянная Ричардсона оказалась равной ~2·10^-2 А/см²·K.

Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (N. Y., John Wiley and Sons, 2001)
Shaweta Khanna, Arti Noor, Man Singh Tyagi, Sonnathi Neeleshwar. Mater. Sci. Forum, 615--617, 427 (2009)
A. Itoh, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 162, 389 (1997)
A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami. IEEE Trans. Electron. Dev. Lett., 16, 280 (1995)
W.R. Harell, J. Zhang, K.F. Poole. J. Electron. Mater., 31, 1090 (2002)
D. Perrone, M. Naretto, S. Ferrero, L. Scaltrito, C.-F. Pirri. Mater. Sci. Forum, 615--617, 647 (2009)
Pavel A. Ivanov, Alexander S. Potapov, Tat'yana P. Samsonova. Mater. Sci. Forum, 615--617, 431 (2009)
C. Koliakoudakis, J. Dontas, S. Karakalos, M. Kayambaki, S. Ladas, G. Konstantinidis, S. Kennou, K. Zekentes. Mater. Sci. Forum, 615--617, 651 (2009)
Irina P. Nikitina, Konstantin V. Vassilevski, A.B. Horsfall, Nicolas G. Wright, Anthony G. O'Neill, S.K. Ray, C. Mark Johnson. Mater. Sci. Forum, 615--617, 577 (2009)
Hyoung Jin Im, B. Kaczer, J.P. Pelz, Jin Ming Chen, W.J. Choyke. Mater. Sci. Forum, 264--268, 813 (1998)
O. Shigiltchoff, T. Kimoto, D. Hoodgood, et al. In: Technical Digest of International Conference on SiC and Related Materials (Tsukuba, Japan, 2001) We-B-23, p. 291C
S.Y. Han, N.K. Kim, E.D. Kim, J.L. Lee. Silicon Carb. Rel. Mater., 2001 --- Mater. Sci. Forum, 389--393, 897 (2002)
S. Liu, K. Reinhardt, C. Severt, J. Scofield. Silicon Carb. Rel. Mater. 1995 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 589 (1996)
Weijie Lu, W.C. Mitchel, G.R. Landis, T.R. Crenshaw, W. Eugene Collins. Sol. St. Electron., 47, 2001 (2003)
Shu-Cheng Chang, Shiu-Jinn Wang, Kai-Ming Uang, Bor-Wen Liou. Sol. St. Electron., 49, 1937 (2005)
Ryohei Konishi, Ryuichi Yasukochi, Osamu Nakatsuka, Yasuo Koide, Miki Moriyama, Masanori Murakami. Mater. Sci. Eng. B, 98, 286 (2003)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41, 1281 (2007)
R. Kakanokov, L. Kassamakova, I. Kassamakov, K. Zekentes, N. Kuznetsov. Mater. Sci. Eng. B, 80, 374 (2001)
Kazuhiro Ito, Susumu Tsukimoto, Masanori Murakami. Sci. Techn. Adv. Mater., 7, 496 (2006)
A. Scorzoni, F. Moscatelli, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Silicon Carb. Rel. Mater., 2004 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 881 (2004)
V. Saxena, Jian Nong Su, A.J. Steckl. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 456 (1999)
O. Korolkov, N. Kuznetsova, T. Rang, A. Syrkin, V. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 556--557, 737 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель