"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9727
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2016 год:
Статья
Просмотров
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами
90
Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл--твердые растворы на основе карбида кремния
71
Структура и оптические свойства ZnO c наночастицами серебра
58
Синтез и исследование свойств тонких пленок TiO2, легированных наночастицами серебра, для просветляющих покрытий и прозрачных контактов фотопреобразователей
38
Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов
35
Температурная зависимость коэффициента Холла в системе Вi1-xSbx (x=0.06, 0.12)
28
Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
28
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
26
Пленки оксида графена, напечатанные на твердых и гибких подложках, для широкого спектра приложений
25
Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
24
Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
24
Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии
24
Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния
24
Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле
23
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
23
Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов
23
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным delta-легированным Mn слоем GaAs
23
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4H-SiC-транзистора
22
Создание карбидкремнийоксидных нанослоев на поверхности поликристаллического алмаза для использования их в качестве буферов при эпитаксии нитрида галлия
21
Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSix
21
Статья
Просмотров
Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов
2971
Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении beta-источником никель-63
2296
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами
2201
Оптические свойства тонких пленок PbS
2169
Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
2026
Структура и оптические свойства ZnO c наночастицами серебра
1966
Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом
1926
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si3N4 in situ
1806
Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов
1716
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
1653
Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл--твердые растворы на основе карбида кремния
1588
Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния
1576
Исследование поверхности GaAs после травления в плазме высокочастотного и тлеющего разрядов методом атомно-силовой микроскопии
1565
Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
1560
Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия
1481
Синтез и исследование свойств тонких пленок TiO2, легированных наночастицами серебра, для просветляющих покрытий и прозрачных контактов фотопреобразователей
1478
Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на основе GaAs
1406
Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения
1394
Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова
1379
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии
1373
Полевой транзистор с двумерными системами носителей в затворе и канале
1370
Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл-TiO2-Si
1319
Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния
1293
Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
1270
Электрохимические характеристики наноструктурированных кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов
1229
Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния
1195
Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после gamma-нейтронного облучения
1186
Оптические и структурные свойства тонких пленок Cu2ZnSnS4, полученных методом импульсного лазерного осаждения в атмосфере H2S с последующим отжигом в N2
1185
Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний
1179
Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS
1155
Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле
1152
Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
1128
К вопросу об омичности контактов Шоттки
1119
Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа
1118
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
1117
Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации
1115
Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления
1112
Управление электронными состояниями мелкого донора при помощи металлического затвора конечных размеров
1105
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
1100
Органические светоизлучающие устройства на основе ряда новых политиенотиофеновых комплексов с использованием высоколюминесцентных квантовых точек
1095
Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния
1089
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (lambda=1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
1075
Комплексный метод исследования корреляционных параметров самоорганизованных структур
1071
Model development for current--voltage and transconductance characteristics of normally-off AlN/GaN MOSHEMT
1066
Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния полученного по технологии monolike
1066
Синтез наночастиц металлов и полупроводников в потоке несмешивающихся жидкостей
1052
Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
1041
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
1037
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si1-xGex: получение и некоторые свойства
1033
Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
1031
Автор
Организация
Статей
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
15
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
14
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Новиков А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
11
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук,7 Нижний Новгород, Россия
11
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
10
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Буравлев А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Козлов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
8
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Дворецкий С.А.
Томский государственный университет, Томск, Россия
7
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Резник Р.Р.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
7
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, России
6
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Фадеев М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Штром И.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Витухновский А.Г.
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
6
Дементьев П.А.
Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Николаев В.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
6
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Калитеевский М.А.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мальцев П.П.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
88
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
26
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
25
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
18
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
18
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
11
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
11
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
10
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
10
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
8
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
7
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
7
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
4
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
4
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
3
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
2
Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан
2
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
2
Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия
2
Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
CEMES-CNRS --- Universite de Toulouse, Toulouse, France
2
Innolume GmbH, Dortmund, Germany
2
CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
2
Институт ядерных исследований Российской академии наук, Москва, Россия
2

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme