"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2016 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
7
Вихрова О.В.
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Теруков Е.И.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мальцев П.П.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Смирнов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Емельянов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дементьев П.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокина С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошина Н.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Бугров В.Е.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Здоровейщев А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Кудрин А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Данилов Ю.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Нежданов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Земляков В.Е.
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
4
Буравлев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4
Козлов В.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Климов А.Э.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Эпов В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Калядин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Аруев П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Забродский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
3
Лаврухин Д.В.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Мошников В.А.
Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бахвалов К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Трошков С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Томош К.Н.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Павлов А.Ю.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Хабибуллин Р.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Шенгуров В.Г.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Дорохин М.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Павлов Д.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Скороходов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Некоркин С.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Егоркин В.И.
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
3
Оболенская Е.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Тарасова Е.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Хребтов А.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Резник Р.Р.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Кадыков А.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Фадеев М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Абдуллаев Н.А.
Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Ундалов Ю.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Донсков А.А.
Акционерное общество Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
2
Духновский М.П.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
2
Алпатов А.В.
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Palmour J.W.
CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
2
Кузнецов П.И.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Московская область, Россия
2
Николаев С.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Онищенко Е.Е.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Пручкина А.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Тимирязев А.Г.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Московская область, Россия
2
Поклонский Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Вырко С.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Таиров Ю.М.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Решанов С.А.
Ascatron AB, Kista, Swedwn
2
Schoner A.
Ascatron AB, Kista, Swedwn
2
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов Ю.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цэндин К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Hаучно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики, Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы, Казахстан
2
Романов А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Кумеков С.Е.
Казахский национальный исследовательский технический университет им. К.И. Сатпаева, Алматы, Казахстан
2
Брус В.В.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany
2
Марьянчук П.Д.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
2
Bagraev N.T.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
2
Klyachkin L.E.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Malyarenko A.M.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Александров И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мансуров В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Абрамов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Бакулин А.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Кулькова С.Е.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Калыгина В.М.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Егорова И.М.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Прудаев И.А.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Лунин Л.С.
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2
Кагадей В.А.
АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
2
Черкашин Н.А.
CEMES-CNRS --- Universite de Toulouse, Toulouse, France
2
Чалков В.Ю.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Федюкин А.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лубянский Я.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Abrosimov N.V.
Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
2
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Левицкий В.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чернев А.Л.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емельянов А.К.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Дубина М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Асрян Л.В.
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2
Бочкарева Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пономарев Д.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Бобров М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Блохин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев Э.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Липовский А.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Курочкин А.С.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Гладышев А.Г.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Гаджиев И.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Буяло М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Павлов В.Ю.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Николичев Д.Е.
Нижегородский государственный университета им. Н.И. Лобачевского (физический факультет), Нижний Новгород, Россия
2
Лесников В.П.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Усов Ю.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильев А.П.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Тихов С.В.
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Горшков О.Н.
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Сошников И.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Lipsanen H.
Aalto University, F Espoo, Finland
2
Богданов С.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Марин Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Авдошина Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Besombes L.
C EA-CNRS group Nanophysique et Semiconducteurs", CEA, INAC, SP2M, and Institut Neel, 17 rue des Martyrs, Grenoble, France
2
Mariette H.
C EA-CNRS group Nanophysique et Semiconducteurs", CEA, INAC, SP2M, and Institut Neel, 17 rue des Martyrs, Grenoble, France
2
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Байдакова Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Морозова Е.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Бовкун Л.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Чижевский Е.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Засавицкий И.И.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Ковалевский К.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Абросимов Н.В.
Институт роста кристаллов, Берлин,
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
96
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
32
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
31
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
24
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
23
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
22
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
16
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
14
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
12
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
11
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
10
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
10
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
6
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
6
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
5
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
5
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
5
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
5
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
4
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
3
Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
2
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
CEMES-CNRS --- Universite de Toulouse, Toulouse, France
2
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2
ОАО "НПП Салют", Нижний Новгород, Россия
2