Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов

Лашкова Н.А.¹, Максимов А.И.¹, Рябко А.А.¹, Бобков А.А.¹, Мошников В.А.^1,2,3, Теруков Е.И.^1,4

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия Yaroslav-the-Wise Novgorod State University, Veliky Novgorod, Russia

Yaroslav-the-Wise Novgorod State University, Veliky Novgorod, Russia

⁴Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: eug.terukov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 3 марта 2016 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработана модель гетероструктурного фотовольтаического элемента на основе оксидов цинка и меди. Зародышевые слои оксида цинка и оксида меди синтезированы методом спрей-пиролиза. Для формирования объемного гетероперехода выращены наностержни оксида цинка с помощью гидротермального синтеза. Изучены морфологические, электрофизические и оптические свойства полученных структур.

M. Zi, M. Zhu, L. Chen. Ceramics Intern., 40, 7965 (2014)
Д.Ю. Паращук, А.И. Кокорин. Рос. хим. журн., LII (6), 107 (2008)
О.П. Чикалова-Лузина, А.Н. Алешин, В.М. Вяткин. ПЖТФ, 42 (3), 38 (2016)
А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко, А.В. Бобыль, В.П. Костылев, Е.И. Теруков, Д.А. Богданов, И.Е. Панайотти, И.О. Соколовский, Д.Л. Орехов. ПЖТФ, 41 (10), 42 (2015)
Ш.Р. Адилов, М.Е. Кумеков, С.Е. Кумеков, Е.И. Теруков. ФТП, 47 (5), 642 (2013)
О.Л. Лисицкий, М.Е. Кумеков, С.Е. Кумеков, Е.И. Теруков. ФТП, 43 (6), 794 (2009)
Б.М. Верменичев, О.Л. Лисицкий, М.Е. Кумеков, С.Е. Кумеков, Е.И. Теруков, С.Ж. Токмолдин. ФТП, 41 (3), 298 (2007)
C.F. Klingshirn, B.K. Meyer, A. Waag, A. Hoffman, J. Geurts. Zinc Oxide. From Fundamental Properties towards Novel Applications (Springer, 2010)
C. Jagadish, S.J. Pearton. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications (Elsevier Science, 2006)
M. Saleem, L. Fang, A. Wakeel, M. Rashad, C.Y. Kong. World J. Condens. Matter Phys., 2, 10 2012
N. Kaneva, L. Krasteva, D. Dimitrov, A. Bojinova, K. Papazova, A. Ponomareva, G. Suchaneck, V. Moshnikov. Bulgarian Chem. Commun., 45 (4), 635 (2013)
S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev, N.B. Beisenkhanov, A.B. Aimagambetov, I.V. Ovcharenko. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 864 39 (2005)
A.S. Komolov, P.J. Moller, S.A. Komolov, E.F. Lazneva, J. Mortensen. Surf. Sci., 586 (1--3), 129 (2005)
С.С. Карпова, В.А. Мошников, А.И. Максимов, С.В. Мякин, Н.Е. Казанцева. ФТП, 47 (8), 1022 (2013)
А.С. Божинова, Н.В. Канева, И.Е. Кононова, С.С. Налимова, Ш.А. Сюлейман, К.И. Папазова, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ФТП, 47 (12), 1662 (2013)
И.А. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С.А. Завьялов. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях (М., Наука, 1991)
S.S. Karpova, V.A. Moshnikov, S.V. Mjakin, E.S. Kolvangina. Semiconductors, 47 (3), 392 (2013)
И.А. Пронин, Н.В. Канева, А.С. Божинова, И.А. Аверин, К.И. Папазова, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников. Кинетика и катализ, 55 (2), 176 (2014)
И.Е. Грачева, А.И. Максимов, В.А. Мошников. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., 10, 16 (2009)
Г.К. Чудинова, И.А. Наговицын, Т.Т. Гаджиев, В.В. Данилов, В.А. Мошников, С.С. Налимова, И.Е. Кононова, В.В. Курилкин. Докл. АН, 456 (2), 174 (2014)
Y. Fu, J. Sun, Y. Xieet. Mater. Sci. Eng. B, 166, 196 (2010)
E.V. Abrashova, I.E. Kononova, V.A. Moshnikov. Smart Nanocomposites, 4 (2), 1 (2013)
Н.А. Лашкова, А.И. Максимов, Л.Б. Матюшкин, В.А. Мошников, А.А. Рябко, П.А. Сомов, С.С. Туленин. Бутлеровские сообщ., 42 (4--6), 48 (2015)
А.А. Бобков, А.И. Максимов, В.А. Мошников, П.А. Сомов, Е.И. Теруков. ФТП, 49 (10), 1402 (2015)
В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, Т.В. Хамова, О.А.Шилова. Золь-гель технология микро- и нанокомпозитов: Учеб. пособие (СПб., Лань, 2013)
А.И. Максимов, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, О.А. Шилова. Основы золь-гель технологии нанокомпозитов. 2-е изд. (СПб., ООО Техномедиа" / Изд-во Элмор", 2008)
В.А. Жабрев, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, А.А. Федотов, О.А. Шилова. Золь-гель технология: Учеб. пособие (СПб., Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ", 2004)
Л.В. Подрезова. Автореф. канд. дис. (Алматы, 2013)
С.И. Рембеза, Н.Н. Кошелева, Е.С. Рембеза, Т.В. Свистова, Е.Ю. Плотникова, E. Suvaci, E. Ozel, G. Tuncoli, C. Ciksari. ФТП, 48 (8), 1147 (2014)
П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина, В.Н. Демидов. Завод. лаб. Диагностика материалов, 65 (9), 27 (1999)
К.Л. Сорокина, А.Л. Толстихина. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., 9, 32 (2006)
А.Л. Толстихина, Р.В. Гайнутдинов, М.Л. Занавескин, К.Л. Сорокина, Н.В. Белугина, Ю.В. Грищенко. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., 9, 48 (2008)
Н.А. Лашкова, Н.В. Пермяков, А.И. Максимов, Ю.М. Спивак, В.А. Мошников. НТВ СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 1 (213), 31 (2015)
Н.В. Пермяков. Молодой ученый, 12, 10 (2012)
Y.M. Spivak, V.A. Moshnikov. J. Surf. Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 4 (1), 71 (2010)
I.E. Gracheva, Yu.M. Spivak, V.A. Moshnikov. IEEE Eurocon-2009 (Eurocon-2009, St. Petersburg, 2009) p. 1246
В.А. Мошников, Ю.М. Спивак, П.А. Алексеев, Н.В. Пермяков. Атомно-силовая микроскопия для исследования наноструктурированных материалов и приборных структур (СПб., Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ", 2014)
С.А. Рыков. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур (СПб., Наука, 2001)
http://www.ntmdt.com/

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель